以目前MB/NB/VGA產品來看，其大電流的應用位置，不外乎VCORE/GPU CORE/CHIPSET ，這些應用大多30A至200-300A不等，且與PWM CONTROLLER 搭配多相數使用，以提供足夠的電流需求。
目前來看，單組MOSFET 組合，約可提供30A左右穩定的電流，再搭配PWM CONTROLLER 的多相數應用，確實可提供足夠的電流需求。隨著CPU / CHIPSET 的需求電流不斷的放大，但PCB的空間不斷的縮小，確實壓縮到POWER 元件的空間。以下的內容，初略簡介MOSFET不同的包裝及引腳方式，如何讓POWER元件放入有限的空間。
- DFN5x6 /single MOSFET:
這是最常見的應用，一般多為上橋一或二顆再搭配一或二顆的下橋。配合PWM CONTROLLER 的多相數並聯應用。
這樣的應用的好處在於，各家MOSFET的供應商都投入眾多的資源去開發不同規格的產品，其市場上可使用的料件為數眾多，對於料件的供應上，也相對屬於市場的主力。零件供應方面也較普遍。
但這樣的應用，在高階產品上，是存在著隱憂的。因為過大的電流需求，需要大量的相數做並聯的應用，同時，為了達到更佳的MOSFET驅動能力，是需要外掛MOSFET DRIVER元件，這樣會造成整組POWER SOLUTION 所需要的PCB空間過於龐大(DRIVER+H/S MOSFET +L/S MOSFET + INDUCTANCE)
2.DFN5x6 /DUAL MOSFET:
這類的產品是利用PACKAGE的技術，將上/下橋MOSFET 整合在同一PACKAGE上，其好處在於，透過整合兩顆MOSFET變成一顆，對於PCB的空間使用上，是相對的有幫助。且MOSFET的製程技術的精進，目前這樣的產品，單顆元件就能提供18-25A的應用。
因為PACKAGE引腳的關係，其電路上所需的放置的電感位置，僅能在MOSFET單體的兩側，一般而言，最佳使用為兩相應用，最多不建議超過三相，因為會使POWER SOLUTION 元件的擺放空間寬度過寬，進而壓縮到其他元件的擺放。
3.DFN5x6 /BOTTOM SOURCE MOSFET:
這類的產品與DUAL-MOS相近，一樣都是整合型的產品。但不同之處為，透過下橋MOSFET反轉技術，讓PACKAGE 底部為GND，及CLIP的技術，讓PACKAGE 可以得到更優異的散熱條件。同時，透過與DUAL MOS不同的引腳方式，讓電感的為置放在MOSFET的5-7腳位，讓線路應用在三相以上的應用時，方便電感的擺放在同一整排，同時單體能提供20-30A的電流應用，對於大電流的需求應用上，PCB 元件擺放空間，較DUAL MOS 來說，整體性及空間上都較具優勢。
