先進封裝製程WLCSP-BGBM製程

BGBM製程的簡介

BGBM為Backside  Grinding (晶背研磨) & Backside  Metallization (晶背金屬化)兩種連續性的製程縮寫,稱為晶圓背面研磨和晶背金屬化,又稱晶背金屬鍍膜製程,其成品Wafer產業內稱為 Back Side Metal (BSM)

(Backside Grinding Process示意圖)

(Backside Metallization材料剖面圖)

簡單來說就是先將晶背研磨後,使其平整且略帶有粗糙度後,進行鍍化金屬加工。如晶背表面過於光滑,會使其金屬鍍層無法有效與Wafer (基材Si)咬合完整,而產生後續加工時金屬脫層之異常,故有效掌握恰好的粗糙度是製程關鍵之一。

進行鍍化加工時,每一層材料的厚度及反應完成的時間,也是重要關鍵所在金屬材料特性上本來就有不同延展性的差異,再結合多種材料後有效的控制Wafer金屬延展後Warpage的程度,更會直接引響良率多寡。

(Warpage Wafer 實體圖)



(Warpage wafer 3D掃描圖)

為什麼要控制Wafer Warpage的範圍呢?
因為過大的Warpage是無法使用現行量產機台走自動化作業,甚至上機量產時常需要人工做輔助會造成機台撞片、加工破片、良率偏低、UPH下降…等重大問題發生

BGBM現行製程能力

超薄化技術研磨製程極限最薄可達25um (以業界領先的範例 昇陽半導體為主)

BGBM製程的優點

晶圓薄化技術充分因應市場對半導體元件輕薄短小、高性能、節能之高度需求,因此可廣泛運用在MEMS、CMOS、3DIC、Memories、Logic、Power、RF、LED、Interposer、Diode、Schottky Diode、IGBT等各種用途之中
這個製程主要為降低源極(source)-汲極(drain) 總通道阻抗以加強高功率IC 例如 IGBT, MOSFET 的耗電及散熱特性。

藉由使用晶圓薄化技術可提供積體電路高密度互連,大幅縮短導線或TSV間距,降低功率損失,並滿足元件封裝薄型化、小型化之需求,實現半導體元件性能全面提升之目標。

實際與客戶端之討論後,銀- 發現有高頻需求的產品,更可以透過此材料來提升傳輸效率的達成鈦、鎳、銅- 有效的幫助產品快速的散熱,維持更好的工作溫度未來會有更有效的新材料導入,來幫助更多客戶的不同需求。

★博文内容均由个人提供,与平台无关,如有违法或侵权,请与网站管理员联系。

★博文作者未开放评论功能