旺宏創新3D製程Flash已進入準備週期 將與市場見面

關鍵字 :MXICFlash3D

(MXIC 3D製程演進之進度表)

 

(為了相容於既有的3D NAND製程基礎設施,旺宏3D NOR Flash從2D浮閘技術過渡到新製程)

 

以3D NOR Flash技術打造的首款產品預計將是一款單晶片4Gb解決方案。

林民正表示,目前一般商用2D NOR Flash最高容量約2Gb,但必須採用4顆512Mb晶片堆疊整合,如今,透過旺宏的3D技術可望突破此一技術困境。

 

「以單顆晶片實現4Gb 3D NOR Flash無需改變封裝方式可避免因堆疊式的封裝打線影響晶片的可靠性,滿足更高品質的要求。」

下一步,旺宏計劃以此3D技術開發2Gb NOR Flash,以更佳成本優勢挑戰現有2D NOR Flash。

 

相較於2D NOR Flash,旺宏最新32層3D NOR Flash能以單晶片支援更高8倍的容量、更快的擦除及編程性能。

在技術方面,該3D NOR Flash技術支援高速OctaFlash和傳統QSPI介面、200MHz DDR、100K耐久週期、車規的可靠性以及ISO26262功能安全,將是對具有嚴格品質及可靠度要求的汽車、工業等應用產業最佳的解決方案。

 

旺宏3D NOR是一種3D AND型架構,屬於NOR Flash的分支之一,電晶體以平行方式連接。

由於其位元線(BL)與來源線(SL)是成對配置的,所以稱為AND型,有別於2D NOR Flash共用SL的設計。

相較於傳統NOR的通道熱電子(CHE),AND型陣列還有助於進行FN燒錄,實現更高度的平行性,因此更有利於NOR Flash以更高密度、更低功耗提供更快的寫入頻寬。

 

(3V 大容量3D-NOR flash之進度表)

 

(1.8V 大容量3D-NOR flash之進度表)

 

除了NOR Flash,在車輛中拓展新版圖的另一種記憶體是嵌入式多媒體卡(eMMC)。

隨著手機中的記憶體逐漸轉向UFS,可在單一封裝中整合Flash與控制器的eMMC逐漸擴展到更多嵌入式應用,特別是在汽車電子控制器(如ECU)和自動駕駛等領域。

 

林民正說:「eMMC原本專為手機儲存而開發,如今這部份的應用已逐涉退場,許多大廠也不再做這一類產品。

但是,針對手機之外的汽車、醫療、資料中心、工業電腦與POS等廣大嵌入式應用來說,eMMC卻成為一種新產品。」

然而,嵌入式市場客戶卻發現現有供應商並不一定能承諾長期供應這種較低容量的eMMC。

 

林民正指出,「無論是車用、工業或者是醫療應用,對於需要eMMC的客戶來說,價格通常不是問題,重要的是為其確保5年或10年以上的穩定供貨。」

「產品長期供應計畫」(Product Longevity Program)正是旺宏一直以來的承諾。

林民正說,一旦決定進入一個產品市場,旺宏期望讓客戶無論選購NOR Flash、SLC NAND或eMMC都可以安心。

因此,「我們甚至現在還在賣20年前的產品!」正是這種長期供貨的承諾和「安心感」,讓許多歐美和日本客戶都和旺宏建立了長期緊密的合作伙伴關係。

 

(eMMC 3D-MLC flash之進度表)

 

 

常見問與答

 

Q : MXIC 1.8V低電壓NOR-flash 產品容量範圍?


A : MXIC 1.8V低電壓 NOR-flash容量從512Kb~2Gb皆齊全,供客戶選擇

Q : MXIC是否有特殊Wide Range NOR-flash 產品容量範圍?
A : MXIC Wide Range NOR-flash 提供2Mb~64Mb (支援1.65V-3.6V)

Q : MXIC有更低電壓NOR-flash 產品容量範圍?
A : MXIC 可提供1.2V超低電壓產品,容量為16Mb/64Mb/128Mb (支援1.14V-1.6V)

Q : MXIC工規NOR-flash 所支援的耐溫範圍為?
A : Industrial Grade (I) -40℃ to +85℃
    Industrial Grade (J) -40℃ to +105℃
    Industrial Grade (K) -40℃ to +125℃

Q : MXIC 3D NOR-flash可供貨的時間點?
A : 96/48層3D NAND預計將2026Q1將完成Sample準備供應給系統客戶端
     可開始供應給系統客戶端 進行系統驗證

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參考來源

EE Times Taiwan: https://www.eettaiwan.com/20241212nt41-macronixs-world-first-3d-nor-flash-breaks-capacity-limits/