1. 前言
這款具備 80V 耐壓與僅 1.1mΩ 導通電阻（RDS(on)）的 N 通道 MOSFET，是專為中低電壓環境設計的高效能電源開關元件。
它的極低導通電阻與高電流承載能力，使其在功率轉換與分配上表現出色，特別適合用於提升系統效率與降低熱耗損。
此類 MOSFET 的應用範圍廣泛，涵蓋汽車電子（如 12V / 24V / 48V 系統）、鋰電池模組的電源管理（12V、24V、48V）、馬達控制（包括 48V BLDC、PMSM 及有刷直流馬達）、再生能源與儲能系統（24–48V 模組），以及高效能消費性與運算設備（如伺服器、電競筆電與桌機的功率級設計）。
安森美半導體最新推出採用 T10 技術的 80V 功率 MOSFET——NTBLS1D1N08X，具備業界領先的開關應用品質因數(FOM)，專為高效能電源系統而設計。此元件擁有極低的導通電阻與更小的輸出電容，有效降低導通與切換過程中的能量損耗，進一步提升整體系統效率。
2. 產品特色
► 低 QRR、軟恢復體二極體
► 低 RDS(on)，最大程度降低傳導損耗
► 低 QG 和電容，最大程度降低驅動器損耗
► 無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑 (BFR)，且符合 RoHS 規定
3. 內部方塊圖
4. 設計利益
► 80V額定值：為48V系統提供充足的裕量（在暫態期間可突波至~60V）
► 1.1 mΩ 超低 RDS（on）：最大限度地減少傳導損耗
► 高電流能力 : 大型銅夾和寬汲極/源極焊盤允許連續電流高達 299 A
► 超低寄生 : TOLL 8L的封裝電感非常低（典型值為 <1 nH）
► 優異的熱性能 : 低 RθJC（0.76 °C/W），高效散熱到 PCB
► 緊湊、低輪廓 : 支援高密度電路板設計
► 表面貼裝封裝 （SMT）: 可回流焊接，與自動化PCB組裝相容
► 開爾文源極pin腳 : 高 dv/dt 下，最大限度地減少閘極迴路噪聲和誤觸發
5. 結語
安森美半導體推出的NTBLS1D1N08X 採用超低導通電阻（RDS(on））與卓越的品質因數（FOM），在降低功耗與提升系統整體效率方面展現出色效能。這使其成為低側開關與同步整流應用的首選元件，特別適合用於汽車電子、伺服器電源以及工業控制等對性能與可靠性要求極高的領域。
其採用的 TOLL 8L 封裝是一種先進的功率半導體封裝技術，專為高電流、低電壓 MOSFET 而設計。低熱阻（RθJC）在有限空間內提供優異的散熱能力，透過底部冷卻方式實現高密度電路板佈局。相較於傳統的 TO-220 或 TO-247 通孔封裝，TOLL 8L 不僅節省空間，更有助於提升系統的熱管理與整體設計靈活性。
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