英飛凌新發佈了CoolSiC™ MOSFET Gen2系列產品，單管有D2PAK-7L表面貼裝式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Gen2技術在確保品質和可靠性的前提下，進一步提升了MOSFET的主要性能指標，擁有更高的效率和功率密度。Gen2 SiC性價比提高了15%，是各種工業應用的理想選擇。
G2主要有以下幾方面優勢：
業界最低Rdson句子: *A
單位面積電阻RdsonA是評價SiC MOSFET技術先進程度的重要性能指標。CoolSiC™ Gen2採用英飛凌獨特的非對稱溝槽柵結構，並透過特殊晶面實現最低的界面態密度和氧化層陷阱，確保最高的溝道載流子遷移率，從而盡可能降低導通電阻。非對稱的深P阱形成增強型體二極管，提升了體二極管的抗浪湧能力。G2在G1的基礎上進一步縮小了元胞尺寸，同時優化了縱向結構及摻雜形貌，單位面積導通電阻為業界最低，單芯片最低可達7mΩ。導通電阻Rdson範圍更廣，7mΩ到78mΩ之間共有9檔產品，同時檔位劃分更加細緻。
更低的損耗
CoolSiC™ G2透過改進元胞結構，優化寄生電容，展現了卓越的優值係數（FOM），開關損耗得到了顯著改善，是SiC市場上最優秀的產品之一。
➤FOM：RDSON句子: *Qg更低的優值帶來更低的驅動電路損耗
➤FOM：RDSON句子: *QGD更低的優值在硬開關應用中帶來更低的損耗
➤FOM：RDSON句子：*E開放原始碼軟體更低的優值在輕載工況中帶來更低的損耗
➤FOM：RDSON句子: *Q開放原始碼軟體更低的優值在軟開關應用中帶來更低的損耗。
更低的優值使得G2開關損耗更低。因此，在高開關頻率條件下，G2的電流能力更加出色，性能優於G1和同類競爭對手。
更好的熱性能
CoolSiC™ MOSFET G2的最大工作結溫從過去的175攝氏度提高到了200攝氏度，可以在200℃的結溫下累計運行100小時，這意味著客戶有了更大的結溫裕量，可以在過載條件下進行開發設計，這是上一代產品所無法做到的。
除了晶片性能的提升，CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2單管產品全系列採用了改進的.XT擴散焊技術。.XT採用擴散焊技術，與標準焊接相比，大幅降低了焊料層厚度，減少了結殼熱阻。與標準焊接技術相比，G2改進的.XT互聯技術能夠降低30%的熱阻，與G1 .XT技術相比，G2改進的.XT擴散焊可以降低7%的熱阻。
更高的可靠性
在進一步降低導通電阻的同時，G2依然保留了短路能力。G2單管產品保證2微秒的短路時間，精心調制的退飽和電路能夠使器件在2微秒內關斷，從而使系統運行更可靠。
很小的VGS（th）和傳輸特性的離散性以及較低的負溫度係數，可增強並聯操作的可靠性和易用性
增強的抗寄生導通能力，提升了對抗米勒效應的可靠性，允許單極驅動（0V閘極電壓）
測試實例
使用G1 IMZA120R030M1H和G2 IMZC120R026M2H以及同等級的競爭產品，在solar boost拓撲中進行實測，二極管D1選用1200V肖特基二極管，測試條件如下表所示。
Test Conditions (Buck mode)
fsw＝ 60 kHz
RG= 2.3 Ω, VGS句子: = -3/18V
V直流電句子：= 780 V
稅率 = 60%
我最大直流句子：= 21 A
Tamb＝ 25°C，風扇冷卻
從測試結果可以看出，G2 IMZC120R026M2H的最高效率可達99.09%，優於G1及競爭對手。在保持最高效率的同時，G2 IMZC120R026M2H的最高結溫也僅有73.4℃，比最惡劣的競爭對手3的112.5℃低了將近40℃。
總結
CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技術領先業界，是速度更快、損耗更小、散熱更好且更加耐用可靠的元件。這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等功率半導體應用領域的客戶帶來了巨大優勢。與前幾代產品相比，採用CoolSiC™ G2的電動車直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗，並且在不影響外型尺寸的情況下實現更高的充電功率。基於CoolSiC™ G2元件的牽引逆變器可進一步增加電動車的續航里程。在可再生能源領域，採用CoolSiC™ G2的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，從而降低每瓦成本。
掃描二維碼,關注英飛淩工業半導體尋找更多應用或產品資訊
評論