安森美為AI資料中心提供從電網到GPU的一整套電源解決方案▲
隨著AI算力需求呈指數級增長，伺服器電源功率正從目前的3-5kW快速演進至20kW以上，與之匹配的電源供應單元輸出電壓也從傳統的12V升級至48V。面對這一變革，安森美構建了涵蓋從電網接入到GPU的全鏈路電源解決方案。
在UPS（不斷電系統）、PDU（電源分配單元）、PSU（電源供應單元）、BBU（電池備援單元）等關鍵子系統中，安森美透過技術協同效應實現能效躍升。領先的方案融合了先進的矽基（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）功率開關技術，同時整合了閘極驅動器、多相控制器及48V控制器、智慧功率級（SPS）模組、智慧熔絲以及負載點（PoL）降壓轉換器等多種元件。這種組合不僅顯著提升系統能效與功率密度，更能大幅縮減設備體積，為高密度資料中心節省寶貴空間。
明星產品
EliteSiC 650V MOSFET：能效提升的核心引擎
EliteSiC 650V MOSFET是天生的效率高手，提供了卓越的切換性能和更低的元件電容，可在資料中心中實現更高的效率。與上一代產品相比，新一代SiC MOSFET的閘極電荷減半，並且儲存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。
PowerTrench® T10 MOSFET：大電流的「緊湊管家」
PowerTrench® T10 MOSFET該系列專為處理對DC-DC功率轉換級至關重要的大電流而設計，以緊湊的封裝尺寸提供更高的功率密度，並具備卓越的熱性能，可謂「小身材大能量」的典範。
透過使用PowerTrench® T10 MOSFET和EliteSiC 650V解決方案，資料中心的電力損耗能直接減少約1%。別小看這1%，如果在全球的資料中心實施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時的能源消耗，相當於每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量。
高壓總線架構「智能衛士」
安森美的SiC Combo JFET專為400/800V DC高壓總線架構應用設計，熱插拔/eFuse這些關鍵場景全靠它護航。這些元件提供高開關頻率，並實現業界內最低的每單位面積RDS(on)。
SPM31 智能功率模組：變頻驅動的「性能王者」
安森美的第一代基於1200V碳化矽（SiC）金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）的SPM31智慧功率模組（IPM）系列，在三相變頻驅動應用如AI數據中心等應用中表現非常出色。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術相比，EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而實現比市場上其他解決方案更低的整體系統成本。
參考來源