750V 碳化矽MOSFET——750V CoolSiC™ MOSFET車規級和工業級產品，導通電阻範圍為7mΩ至140mΩ
英飛凌750V CoolSiC™ 碳化矽MOSFET分立元件具備業界領先的抗寄生導通能力以及成熟的閘極氧化層技術，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬切換拓撲中展現卓越性能。
此外，第二代產品大幅降低輸出電容(Coss)，使其能夠在Cycloconverter、CLLC、DAB和LLC等軟切換拓撲中以更高的切換頻率運行。
該產品完美適用於對可靠性、功率密度和效率有嚴格要求的應用，包括車載充電器、DC-DC轉換器、DC-AC轉換器，以及AI伺服器、太陽能逆變器和電動車充電設備。採用Q-DPAK封裝可充分發揮SiC技術固有的快速切換速度，同時確保約20W的功率耗散能力。
產品亮點
CoolSiC™ MOSFET 750 V
- 穩健的750 V技術，經過測試的100%抗雪崩能力
- 出類拔萃的RDS(on) x Qfr
- 出色的 RDS(on) x Qoss 以及 RDS(on) x QG
- 低Crss/Ciss和高VGS(th)的獨特組合
- 英飛凌專有裸晶接合技術
- 提供驅動源引腳
關鍵特性
- 插件和貼片封裝
- 集成凱爾文源極
- 車規級元件符合AEC-Q101認證標準，工業級元件通過JEDEC認證
- 高度細分的產品組合：導通電阻範圍8mΩ至140mΩ，支援多種封裝規格
Q-DPAK頂部散熱封裝
頂部散熱（TSC）元件是表面貼裝功率元件，焊接在印刷電路板（PCB）上。半導體晶片產生的熱量通過封裝頂部傳導至連接的散熱器。TSC功率封裝是改善熱性能和電氣性能的解決方案。這類封裝還有助於提高功率密度並降低製造難度。
車規級MOSFET
“Tiny Power Box”專案由英飛凌與奧地利硅實驗室（Silicon Austria Labs）聯合開發，採用全英飛凌CoolSiC™解決方案，打造出一款緊湊型單相7千瓦車載充電器。
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