英飛凌科技股份公司作為碳化矽（SiC）功率元件及SiC MOSFET溝槽閘技術的領導者，始終以卓越性能與高可靠性相結合的解決方案引領業界。目前，CoolSiC™產品系列涵蓋了400V至3.3kV的電壓範圍，應用領域包括汽車動力傳動系統、電動車充電、光伏系統、儲能及高功率牽引逆變器等。現在，英飛凌又憑藉豐富的SiC業務開發經驗以及在矽基電荷補償元件（CoolMOS™）領域的創新優勢，推出了SiC溝槽型超結（TSJ）技術。
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英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer表示：
TSJ技術的推出顯著擴展了我們的SiC技術能力。溝槽柵結構與超結技術的結合可以實現更高的效率和更緊湊的設計，這對於性能和可靠性要求極高的應用十分重要。
英飛凌致力於透過SiC TSJ技術逐步擴展CoolSiC™產品組合。此次擴展涵蓋多種封裝形式，包括分立元件、模塑和框架封裝模組，以及裸晶圓。擴展後的產品組合能夠滿足汽車和工業領域的廣泛應用需求。
首批基於這項新技術的產品是適用於汽車牽引逆變器的IDPAK封裝1200V功率元件。產品充分利用英飛凌在SiC及矽基超接技術（CoolMOS™）領域超過25年的經驗，結合溝槽柵技術與超接設計的優勢於一身。這個可擴展的封裝平台支援最高800kW的功率，能實現高度靈活的系統配置。這項技術的主要優勢之一是透過降低Ron*A多達40%來獲得更高的功率密度，從而在相同功率等級下實現更緊湊的設計。此外，IDPAK封裝的1200V SiC TSJ功率元件可在不犧牲短路能力的前提下，將主逆變器的電流承載能力提升多達25%。
這一技術進步還為要求嚴苛的汽車和工業應用帶來了整體系統性能的提升，包括更低的能耗和散熱需求，以及更高的可靠性。此外，該系統還降低了並聯要求，從而簡化了設計流程並降低了整體系統成本。憑藉這些創新優勢，基於IDPAK封裝的SiC TSJ功率元件將助力汽車應用領域設計出更高效、更具成本效益的牽引逆變器。
英飛凌科技汽車電子事業部總裁Peter Schiefer表示：
作為全球汽車半導體領域的領導者，英飛凌始終引領創新步伐，助力構建汽車技術進步與永續交通出行之間的橋樑。我們全新的基於溝槽柵結構的SiC超結技術能夠提升效率並簡化系統設計，為電動汽車動力傳動系統帶來更大的價值。
現代汽車公司開發團隊是英飛凌TSJ技術的首批客戶之一。他們將充分利用這項技術的優勢提升其電動汽車產品性能。該合作能夠幫助現代汽車開發出更加高效、緊湊的電動汽車動力傳動系統。
供貨情況
■ 首批IDPAK封裝1200V功率元件樣品現已向部分汽車動力傳動系統客戶開放。
■ IDPAK封裝1200V SiC TSJ功率元件預計將於2027年實現量產。
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