意法半導體的柵極驅動器產品旨在提供穩健性、可靠性、系統整合性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有整合的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動器作為首選解決方案，在輸入部分與被驅動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫整合與優質性能。
STGAP3S 是意法半導體推出的一系列碳化矽（SiC）和絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）功率開關柵極驅動器。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和介面電路之間採用了增強型電容隔離，瞬態隔離電壓 (VIOTM) 耐壓達到 9.6kV，共模瞬態抗擾度 (CMTI) 高達 200V/ns。透過採用這種先進的電隔離技術，STGAP3S 提升了空調、工廠自動化、家電等工業馬達驅動裝置的可靠性。這款新驅動器還適用於電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、直流-直流轉換器和太陽能逆變器。
STGAP3S 產品系列為開發者提供多種產品型號選擇，其中包括驅動電流為 10A 和 6A 的產品。這兩種產品具有不同的欠壓鎖定 (UVLO) 和去飽和干預閾值，幫助設計人員選擇與其所選的 SiC MOSFET 或 IGBT 功率開關管性能最匹配的驅動器。去飽和保護功能實現了對外部功率開關管的過載和短路保護，並可透過外部電阻調整功率開關管的關斷策略，藉由調整關斷速度來最大化保護功能，同時避免產生過多的過壓尖峰。欠壓鎖定保護可防止驅動電壓不足時的導通。驅動器內建的米勒鉗位架構為外部 N 溝道 MOSFET 提供一個預驅動器。因此，設計人員可以靈活選擇合適的干預速度，以防止感應導通並避免交叉導通。
現有的產品型號包括具有10A拉/灌電流和6A拉/灌電流驅動能力的驅動器，針對IGBT或SiC優化的去飽和檢測和UVLO閾值，讓開發者所選的功率開關發揮極致性能。去飽和、UVLO和過熱保護的故障情況會通過兩個專用的開漏診斷引腳通知控制器。
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