英諾賽科氮化鎵熱設計指導(5)

關鍵字 :氮化鎵英諾賽科InnoscienceGan第三代半導體

PCB散熱設計:

 

PCB板上銅的導熱係數為380W/(m*k),FR4材質的導熱係數為0.3W/(m*k),兩者差異巨大。使用過孔、增大銅箔面積,可以增加PCB的含銅量,改善PCB的散熱,但實際上增大覆銅面積、增加過孔數量受限於以下因素:


1、增加銅箔面積,受限於PCB的佈局以及電氣性能的影響。
2、不同的封裝,保持孔沿間距不變,使用不同的過孔,PCB散熱會存在差異。
3、過孔數量影響PCB成本及電氣性能;


基於以上原因,我們需要研究不同封裝元件的PCB過孔及銅箔散熱設計。


Inno GaN器件底部焊盤設計主要有以下兩類;這兩類因為底部焊盤大小和間距的問題,在PCB覆銅和過孔設計上有較大的差異。以下針對這兩類封裝,說明各自的PCB散熱設計。

 

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