英諾賽科氮化鎵熱設計指導(4)

關鍵字 :氮化鎵英諾賽科InnoscienceGan第三代半導體

不管採用哪一種散熱方式,都可以使用等效熱電路對系統進行建模,分析系統的熱表現。透過器件的資料表可以了解器件的熱阻(RθJC, RθJB),有些熱阻因為系統配置不同而有所差異,例如PCB到環境的熱阻RθJA。Buck是許多電力電子電路中常見的拓撲。Buck由兩個晶體管Q1和Q2、驅動IC、電容、功率電感組成;使用分立GaN的Buck功率級的熱傳遞行為分析如下圖。該模型包含大多數的重要熱流路徑,其主要熱源來自晶體管Q1、Q2和功率電感;

利用頂部散熱半橋功率級等效電路

 

半橋電路橫截面

該模型中的溫度節點描述定義如下:

 

1、TJ1和TJ2:每一個GaN內的結溫;

2、Tc1和Tc2:GaN Q1和Q2基板頂部和側面的外殼溫度;

3、TB:靠近兩個GaN的PCB的一處位置電路板溫度;


4、Ts:散熱片靠近兩個GaN的單一個位置的散熱片溫度;
5、TL:功率電感溫度
6、TA:散熱器周圍的溫度;


其中,此模型的熱阻表示的物理路徑:


1、Rθjc:每一個GaN的有源區域到基板外表面之間的熱阻;

2、RθjB:每一個GaN內有源區域到焊盤正下方的PCB的熱阻。
3、RθB1、RθB2:每一個GaN焊墊正下方PCB與PCB上指定TB位置的熱阻

4、Rθcs1、Rθcs2:每一個GaN基板和散熱器的接觸面之間的熱阻(通過導熱墊片路徑);
5、RθBS:TB與散熱器表面之間路徑的熱阻
6、RθBA:TB與環境之間的熱阻;
7、RθSA:散熱片與環境之間的熱阻;
8、RθLB:功率電感通過電感焊盤到PCB的熱阻;
9、RθLA:功率電感通過電感表面到環境的熱阻;
10、RθMB、RθMA:其他系統通過PCB的熱耦合熱阻。


最後,功率損耗作為電流源,表示如下:


1、PQ1和PQ2:GaN的功率損耗
2、PL:功率電感的損耗;
3、Pm:主機板上其他系統的損耗。

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