一站式盤點Vishay伺服器電源關鍵電子元件，確保伺服器電源有效運作

關鍵字 :Vishay SiliconCarbide DiodeMOSFET8x810x12TOLL

在數位化時代，全球資訊化建設的加速推動了伺服器需求的激增，對產品效能的追求也達到了前所未有的高度。伺服器電源的功率不斷刷新記錄，對電子元件的效能需求也隨之提升至極致。

隨著SMD（表面貼裝技術）的自動化生產趨勢日益明顯，SiC二極體、SiC MOSFET和PowerPAK® MOSFET等選型變得特別關鍵。這些高效能元件不僅提升了伺服器電源的效率，也確保了系統的穩定性和可靠性。

此外，被動組件如檢流電阻（Current Sense）、vPolyTan™ 和IHLP/IHVR電感器，在保障伺服器電源高效運作中扮演著不可或缺的角色。

Vishay 推出的新一代SiC碳化矽二極體，功率範圍從4A至40A，提供多種封裝選項，包括TO-22OAC 2L、TO-247AD 3L插件封裝，以及D²PAK 2L（TO-263AB 2L）和SlimDPAK 2L表面貼裝封裝。這些元件採用了混合PIN Schottky（MPS）結構，具備出色的高浪湧電流保護能力，同時保持低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，顯著提升了開關電源設計的能源效率和可靠性。 SiC二極體的高熱導率、低反向電流和短反向恢復時間，以及幾乎不受溫度變化影響的反向恢復時間，使其能在高達+175°C的高溫環境下穩定工作，確保了開關損耗不會導致能源效率的降低。

為了追求更高的效率、減少能量損失並降低成本，伺服器電源架構近年來趨向採用Totem-Pole設計或Interleaved PFC multi-Phase技術。 Totem-Pole電路設計通常需要四個MOSFET作為切換元件，其中靠近輸入電源的部分定義為慢速臂（頻率約50/60Hz），而靠近負載端的部分則定義為快速臂（頻率60kHz以上）。 Vishay憑藉其先進的半導體製造工藝，為客戶提供了全面的選項。在慢速臂應用中，客戶可以選擇Super Junction MOSFET 8x8和10x12封裝產品；而在快速臂應用中，則可以選擇主流的SiC MOSFET，以滿足不同頻率下的性能需求。

在伺服器電源領域，體積的限制與對總輸出功率的極致追求是永恆的挑戰。傳統的鋁電解電容在高溫環境下的使用壽命往往不盡人意。而聚合物鉭電容器（Polymer Tan）以其無毒性和穩定性，逐漸贏得了工程師的青睞，為電源設計提供了更優的解決方案。

Vishay的Power Metal Strip®電流檢測電阻以其卓越的性能和廣泛的應用範圍而聞名。提供0.0002 Ω至1 Ω的多種電阻值選擇，並有適用於高溫環境的選項，其溫度係數可低至30 ppm/°C。這些電阻器非常適合用於電流檢測和脈衝應用，廣泛應用於開關和線性電源、儀器、功率放大器、分流器、逆變器以及電池管理系統。

Vishay / Dale的IHVR-4025JZ-3Z電感器以其超低的直流電阻（在+25°C時典型值為0.130mΩ，最大值為0.143mΩ）和垂直安裝設計而著稱，能夠承受高達+155°C的額定溫度，並採用屏蔽結構以優化性能。這些電感器在電腦和伺服器等產品的大電流轉換器中得到了廣泛應用。

Vishay的OringFET控制器整合了先進的0.45mohm無損電流感應和溫度報告功能。它在負載電流達到或超過10 A時，電流偵測精度高達±2%，在0.5 A負載電流下，IMON偏移精度為±10 μA。配備完整的保護和警報系統，OringFET控制器有效解決了傳統Oring控制器在應用上可能遇到的異常問題。