新型第三代 1200 V SiC 蕭特基二極體，提升開關電源設計能效與可靠性

關鍵字 :VISHAY1200VSiC肖特基二極體

圖片出處:威世科技新型第三代 1200 V SiC 肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化矽（SiC）蕭特基二極體。 Vishay Semiconductors 裝置採用混合 PIN 蕭特基（MPS）結構設計，具有高突波電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助於提升開關電源設計能效和可靠性。

日前發布的新一代 SiC 二極體包括 5 A 至 40 A 元件，採用 TO-220AC 2L、TO-247AD 2L 和 TO-247AD 3L 插件封裝和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由於採用 MPS 結構—利用雷射退火背面減薄技術—二極體電容電荷低至 28 nC，正向壓降減小為 1.35 V。此外，元件 25 °C 下典型反向漏電流僅為 2.5 µA，因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極體不同，第三代裝置幾乎沒有恢復拖尾，因此能夠進一步提升效率。

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碳化矽二極體典型應用包括 FBPS 和 LLC 轉換器 AC/DC 功率因數校正（PFC）和 DC/DC 超高頻輸出整流，適用於光伏逆變器、儲能係統、工業驅動器和工具、資料中心等。在這些嚴苛的應用環境中，元件工作溫度可達 + 175 °C，正向額定突波電流保護能力高達 260 A。此外，D2PAK 2L 封裝二極體採用高 CTI ≥ 600 的塑膠封料，確保電壓升高時優異的絕緣性能。

元件具有高可靠性，符合 RoHS 標準，無鹵素，通過 2000 小時高溫反偏（HTRB）測試和 2000 次熱循環溫度循環測試。