我們的碳化矽 (SiC) 產品專為綠色能源、能源儲存系統和電動車的新一代產品應用而設計。我們遵循高標準製造這些產品，確保其性能、效率和可靠性均符合預期要求。這些元件的設計透過降低傳導/切換損耗，提高系統效率並降低溫度，從而實現最佳散熱性能。
我們的碳化矽 (SiC) 肖特基二極體 (SBD) 憑藉以下特性實現高效的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 轉換：
- 高溫下優異的反向漏電穩定性
- 提高功率密度
電路設計中的切換損耗可以忽略不計
描述
採用堅固的業界標準 DFN8080 封裝，在高溫下具有出色的反向漏電穩定性。它非常適合作為整流器、續流二極體或阻斷二極體，適用於：功率因數校正、工業馬達驅動器、電源逆變器、開關電源（SMPS）以及不間斷電源（UPS）。
特點
低導通和開關損耗
2. 高溫應用
3. VF上的正溫度係數
快速反向恢復
5. 高浪湧電流能力
6. 完全無鉛且完全符合RoHS標準
7. 不含鹵素和銻。「綠色」元件
8. 適用於需要特定變更控制的汽車應用（即符合 AEC-Q100/101/104/200 標準的元件，符合 PPAP 標準）。
應用
功率因數校正
2. 工業電機驅動器
3. 功率逆變器
4. 開關電源 (SMPS)
5. 不斷電系統
Diodes公司宣布推出五款高性能、低品質因數（FOM）的650V碳化矽肖特基二極體，進一步擴展其碳化矽（SiC）產品系列。DSCxxA065LP系列的額定電流分別為4A、6A、8A、10A和12A，採用超高熱效率的T-DFN8080-4封裝，專為高效電源開關應用而設計，例如DC到DC和AC-DC轉換、再生能源、數據中心（特別是處理繁重人工智慧（AI）工作負載的數據中心）以及工業馬達驅動器。
領先業界的 FOM（計算公式為 FOM=QC×VF）歸因於：
由於沒有反向恢復電流和低電容電荷（QC），開關損耗可以忽略不計，並且低正向電壓（VF）可最大限度地降低導通損耗，從而提高整體功率效率。這些特性使其成為高速開關電路的理想選擇。
高性能 SiC 二極體還以其業界最低的反向漏電流（IR）而聞名，為 20μA（最大值）。這最大限度地減少了散熱和傳導損耗，提升了系統的穩定性和可靠性，特別是與矽肖特基元件相比。這種散熱的減少還降低了冷卻成本和運營費用。
緊湊、扁平的 T-DFN8080-4（典型值為 8mm x 8mm x 1mm）表面貼裝封裝包含一個大的底部散熱墊，可降低熱阻。TDFN8080-4 需要更少的電路板空間並提供更大的散熱墊，是 TO252（DPAK）的理想替代品。這透過提高功率密度、減小整體解決方案尺寸以及降低冷卻預算來使電路設計受益。
產品系列：
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