1. 前言
在連續導通模式（CCM）的 Boost PFC 電路設計中，採用 Si MOSFET 可能會遇到以下幾項主要挑戰：
- 在 CCM 模式下，Si MOSFET 的開關頻率通常較高（>50kHz），導致開通與關斷時的開關損耗較大，特別是在高電壓應用（如 400V DC 輸出）中，進一步影響整體效率。
- CM Boost PFC 需要二極體承受高頻電流切換，而 Si MOSFET 內建的 Body Diode 具有較高的反向恢復電荷（Q𝑟𝑟），容易產生額外的反向恢復損耗並引發 EMI 問題。
- 隨著輸出功率的增加，Si MOSFET 的 R𝐷𝑆(𝑜𝑛)會導致較高的導通損耗，使得效率下降，尤其是在 1kW 以上的高功率應用中影響更為顯著。
- Si MOSFET 具有較大的柵極電荷（Q𝑔），需要較高的驅動電流來實現快速切換，這將增加驅動電路的功耗，影響系統整體效率。
- 在 1kW 以上的高功率應用中，Si MOSFET 產生的熱量較多，散熱管理難度提升，進而影響系統的穩定性與可靠性。
安森美半導體推出 UJ4C075060K3S，這是一款 750V、58mΩ 的新一代 SiC FET，採用獨特的「共源共柵」電路配置，將常開型
SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝，以實現常關型 SiC FET。該元件採用 TO-247-3 封裝，具備極低的柵極電荷與優異的反向恢復特
性。在 1kW以上的高功率應用中，SiC Cascode JFET 有機會成為主流選擇，以降低開關損耗、改善反向恢復特性並提升系統效率。
2. 產品特色
低導通電阻 RDS(on)：58 mΩ (典型值)
工作溫度：175°C（最高）
優異的反向恢復：Qrr = 52 nC
低體二極體 VFSD：1.31 V
低閘極電荷：QG = 37.8 nC
閾值電壓 VG(th)：4.8 V（典型值），允許 0 至 15 V 驅動
低固有電容
ESD 保護：HBM 2 級
無鉛、無鹵素且符合 RoHS 標準
3. 內部結構圖
4. 設計利益
安森美半導體推出750V、58mΩ低導通電阻UJ4C075060K3S具有以下幾個設計利益：
- 具有極低的開關損耗，尤其是在高頻 PFC 設計（如 >100kHz）
- 具有更低的 R𝐷𝑆(𝑜𝑛)，減少導通損耗，提高系統效率，特別適用於高功率密度設計。
- 沒有內建 Body Diode 的反向恢復問題，能有效減少反向恢復損耗與 EMI，特別適用於連續導通模式（CCM） Boost PFC
- 具備更高的耐壓能力，允許在更高輸入電壓條件下運行，適合高功率 PFC 設計
- 透過 Cascode 結構，SiC JFET 能與標準 0~15V Si MOSFET驅動電路兼容，無需額外的負電壓驅動，降低設計複雜度
5. 結語
在開關模式電源（SMPS）的功率因數校正（PFC）應用中，SiC Cascode JFET 憑藉其卓越特性，在降低開關損耗、優異的反向恢復特
性、更高的耐壓能力、更低的導通電阻以及簡化驅動設計等五個方面全面優於傳統 Si MOSFET。這使得 SiC Cascode JFET 在高功率、
高頻率的 PFC 應用中能有效降低開關損耗與 EMI，同時提升轉換效率與功率密度，成為未來高效能功率設計的關鍵選擇。
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