大家已熟知Microchip 收購了全球知名功率半導體器件廠商Microsemi，其MOS管器件編號為MSCXXXSMAXXX 。
本文將針對如何在設計中正確選擇Microchip SiC MOSFET 產品的柵- 源電壓作出說明，此外還提供了相關器件的性能和特性信息。
指定SiC MOSFET 的柵極驅動電壓在數據手冊中指定柵極驅動電壓的方式因製造商而異，
但大多數都採用表1 的形式。
首先，我們來定義一些術語：
• VGS是MOSFET柵極與源極端子之間施加的電壓。
• VGSon 是用於導通MOSFET 的穩態VGS。
• VGSoff 是用於關斷MOSFET 的穩態VGS。
• VGSmax 是製造商允許的最大穩態VGS，顯示為負極值和正極值。
• VGS,OP 是製造商建議的穩態VGSon 和VGSoff 值。
一些數據手冊並不會指定VGSon 和VGSoff ；與矽MOSFET 類似，適合不同應用的最佳值可能各不相同。
Microchip 建議
為實現最佳的器件性能和系統穩定性，最好使用VGSon= +20V和VGSoff = -5V來驅動Microchip SiC MOSFET。
Microchip SiC MOSFET 在VGSon 和VGSoff 絕對值較低時仍可正常運行，但與所有設計一樣，我們應分析和了解在次優驅動條件下運行所產生的額外損耗。為此，確定最佳VGSon 和VGSoff 的依據各不相同，以下幾節對每種情況下可能存在的取捨進行了描述。
導通狀態柵極驅動電壓VGSon
使用較低VGSon 驅動Microchip SiC MOSFET 將出現以下情況：
• 導通電阻增大，從而導致更高的導通損耗
• 降低峰值（飽和）電流能力
• 延長短路耐受時間
• 延長柵極氧化物的壽命
• 在相同的柵極電阻下，開關損耗增加。
導通電阻RDSon
圖1 中的4 個曲線圖顯示了歸一化RDSon（在25°C 和20V 柵極電壓下歸一化為RDSon）如何隨結溫（Tj）變化而增大。Microchip 最大的SiC MOSFET 裸片在四個電壓等級下的數據如下：700V、15 mΩ ；1200V、17 mΩ ； 1700V、35 mΩ ；以及3300V、25 mΩ。
通過觀察可得出以下結果：
• 就RDSon 隨溫度變化的增幅而言，SiC MOSFET 遠低於矽MOSFET。
• 當Tj 升高時，Microchip SiC MOSFET 的RDSon 增幅低於其他SiC MOSFET 供應商的產品。
• VGSon = 18V 時， RDSon 變化幅度較小，而Tj 越高，這種變化越小。
• VGSon = 15V 時， RDSon 的增幅更為明顯，尤其是Tj 越低，增幅越明顯。
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