Silan LV MOSFET介紹

         杭州士蘭微電子股份有限公司坐落於杭州高新技術產業開發區，是專業從事集成電路芯片設計及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業。公司成立於1997年9月，總部在中國杭州。2003年公司股票在上海證劵交易所掛牌，是第一家在中國境內上市的集成電路芯片設計企業。受益於中國電子信息產業快速成長，士蘭微電子已成為國內規模最大的集成電路芯片設計與製造一體的企業之一，其技術水準、營運規模、營利能力等各項指標在國內同行中均排名前面。士蘭微電子產品涵蓋眾多領域，包含綠色電源芯片、MEMS傳感器、LED照明與平險技術、功率半導體等等。

       杭州士蘭微電子從1997成立至今也有將近30年頭，在功率器件領域也投入不少心力，今日跟大大通圍觀者介紹士蘭微電子LV MOS(低壓金屬氧化物半導體場效電晶體, VDS ≦ 200V以下)產品，士蘭微電子LV MOS主要分為二大類:一般溝槽式(Normal Trench)與分裂閘極溝槽式(Split Gate Trench) LV MOSFET。士蘭微電子一般溝槽式(Normal Trench)LV MOSFET有下面幾點特色:適用低開關頻率<100KHz、大電流衝擊能力與魯棒(Robustness)性優。分裂閘極溝槽式(Split Gate Trench) LV MOSFET已經發展出G1、G2等世代，G2提供25V至150V電壓範圍。士蘭微電子分裂閘極溝槽式(Split Gate Trench) LV MOSFET有下面幾項特色:適用更高頻切換應用、高效率與高功率密度應用。

       士蘭微電子G2 LV MOSFET以5x6包裝來說， 30V MOSFET最低Rdson已經來到0.7mohm，40V MOSFET 最低Rdson已經來到1.2mohm，60V MOSFET 最低Rdson已經來到1.3mohm，80V MOSFET 最低Rdson已經來到2.6mohm，100V MOSFET 最低Rdson已經來到4.1mohm，150V MOSFET 最低Rdson已經來到9.3mohm。士蘭微電子LV MOS提供目前市場最主流的包裝，如5x6包裝。士蘭微電子所提供LV MOS適用二次側同步整流器的MOSFET，適用領域包含適配器電源、消費性電源、伺服器電源、網通電源、工業電源等市場應用。士蘭微電子貼片包裝如下圖1所示。

 

表1、士蘭微電子貼片包裝(來源:士蘭微官網)

          
 
士蘭微電子HV MOSFET特色:

1. 適用低、高頻切換應用
2. 大電流衝擊能力
3. 高魯棒(Robustness)性
4. 高效率
5. 高功率密度
6. 低成本

 

士蘭微電子LV MOSFET 規格:

1. V_DSS = 25V~150V
2. R_DS(on),MAX = 0.7mΩ ~ 25mΩ
3. 主流5x6、TO-252 Package

 

應用產品:

適配器電源

消費性電源

伺服器電源

網通電源

工業電源