東芝半導體-為求工控市場電源應用更為節能,開發新世代N通道150V產品陣容

關鍵字 :TOSHIBALVMOS工控電源同步整流

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)最近推出的六款新產品均採用新一代“U-MOSⅩ-H系列”工藝,拓展了150 V N溝道功率MOSFET產品線。

該系列產品適用於資料中心和通信基站等工業設備的開關電源。新產品的封裝方式為三引腳直插式:

型號產品採用TO-220鐵封: TK4R9E15Q5、TK7R2E15Q5和TK9R6E15Q5

型號產品採用TO-220SIS塑裝: TK5R0A15Q5、TK7R4A15Q5和TK9R7A15Q5

圖片出處:東芝半導體官網https://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20241023-1d.html

新產品採用U-MOSⅩ-H工藝,實現低漏源導通電阻。特別是,TK4R9E15Q5型產品的漏源導通電阻極低,最大值僅為4.9 mΩ。

此外,新產品採用高速二極體(HSD),通過減少反向恢復電荷和加快反向恢復時間,改善了對同步整流應用非常重要的反向恢復特性[1]

新產品用於同步整流應用,可降低開關電源的功率損耗並有助於提高效率。

註1:MOSFET體二極體從正向偏置切換至反向偏置的開關動作

圖片出處:東芝半導體Toshiba X33/35產品介紹資料

第一款產品TPH9R00CQ5[2]採用了HSD,與未採用HSD的東芝現有產品TPH9R00CQH[2]相比,TPH9R00CQ5型產品的反向恢復電荷減少了約74%,反向恢復時間加快了約44%。除了貼片式封裝,採用這種HSD的U-MOSⅩ-H工藝還應用於直插式封裝。新產品降低了MOSFET開關時漏極與源極之間產生的漏源尖峰電壓[3],有助於減少開關電源內的電磁干擾(EMI)。

圖片出處:東芝半導體Toshiba X33/35產品介紹資料

註2 :SOP Advance/SOP Advance(N)封裝產品
註3:用於反向復原模式的電路時

東芝將繼續促進其功率MOSFET產品線的拓展,説明提高電源效率,實現降低設備能耗這一終極目標。

應用:

1.通信設備等(高效AC-DC轉換器、高效DC-DC轉換器等)的開關電源
2. 電機控制設備(電機驅動等)

特性:

1. 極低的導通電阻:TK4R9E15Q5 RDS(ON)=4.9 mΩ(最大值)(VGS=10 V)
2. 低反向恢復電荷:TK9R6E15Q5 Qrr=32 nC(典型值)(-dIDR/dt=100 A/μs)
3. 快反向恢復時間:TK9R6E15Q5 trr=40 ns(典型值)(-dIDR/dt=100 A/μs)


主要規格:


圖片出處:東芝半導體官網https://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20241023-1d.html

內部電路:

圖片出處:東芝半導體官網https://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20241023-1d.html

應用線路範例:

圖片出處:東芝半導體官網https://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20241023-1d.html
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註:

本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估,特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路實例並不授予任何工業產權許可。

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參考來源

TOSHIBA: https://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20241023-1d.html