新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，採用TO247和TO247-4封裝

 新品 

CoolSiC™ MOSFET 650V G2，

7mΩ，採用TO247和TO247-4封裝

CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，採用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝，以第1代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC™ MOSFET第2代在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用於所有常見的系統設計。交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。

 

產品型號：

■ IMW65R007M2H

■ IMZA65R007M2H

 

 產品特點 

• 優異的性能指標（FOM）
• 個位數RDS(on）
• 堅固耐用，整體質量高
• 靈活的驅動電壓範圍
• 支持單電源驅動，VGS（off）=0
• 避免誤開通
• .XT技術改進封裝互聯

 

 應用價值 

• 節省物料清單
• 最大限度地提高單位成本的系統性能
• 最高可靠性
• 實現最高效率和功率密度
• 易於使用
• 與現有供應商完全兼容
• 允許無需風扇或無散熱器設計

 

 競爭優勢 

• 開關損耗極低
• 標杆性柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V
• 柵極關斷電壓為0V，可抵禦寄生導通
• 驅動電壓靈活，與正負電源驅動兼容
• 用於硬換流的堅固體二極體
• .XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能

 

 競爭優勢 

• 開關電源(SMPS)
• 光伏逆變器
• 儲能系統
• UPS
• 電動汽車充電
• 電機驅動

 

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■ IMW65R007M2H

 

■ IMZA65R007M2H

 

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