Buck 電路基本量測 (二) Discrete MOS (1)

關鍵字 :AOSMOS測試電路

Discrete MOS類別

  1.  Single MOS:單一MOS元件 (ex. AONS36333、AONS36337)Single MOS
  2.  Dual MOS:包含兩顆MOS (ex. AONY36304)Dual MOS
  3.  Bottom Source:包含兩顆MOS,源極位於元件底部 (ex. AONX36322)Bottom Source

Discrete MOS測試要求

一般來說Discrete MOS需要測試MOS的單體波型,比較重要的測試項目如下:

  • Deadtime:兩顆MOS共同關閉的時間。
  • Glitch:L/S關閉,H/S開啟時,L/S被寄生電容帶起來的電壓。
  • VDS:H/S、L/S的VDS電壓。

 ------------------------------------------------------------------------------

Q1、Discrete MOS的類別?

A1: Single MOS、Dual MOS和Bottom Source。

Q2、Dual MOS和Bottom Source的差別?

A2:Dual MOS常用於高速開關的應用;Bottom Source由於散熱效率良好,多用於高功率應用。

Q3、為何要測量Deadtime波形?

A3: Buck電路經由兩顆MOS交換開關來達成降壓需求,Deadtime是確保兩顆MOS不會同時開啟,以免造成電路短路。

Q4、Deadtime和Glitch是量哪裡的訊號?

A4: MOS的Gate和Source端壓差。

Q5、為何要測量Glitch?

A5:L/S關閉後,H/S打開時,L/S VGS會被H/S內部的寄生電容帶起來的突刺,若超過L/S的開機電壓,便會與H/S同開,有短路的風險。

★博文內容均由個人提供,與平台無關,如有違法或侵權,請與網站管理員聯繫。

★文明上網,請理性發言。內容一周內被舉報5次,發文人進小黑屋喔~

評論