Discrete MOS類別
- Single MOS:單一MOS元件 (ex. AONS36333、AONS36337)

- Dual MOS:包含兩顆MOS (ex. AONY36304)

- Bottom Source:包含兩顆MOS,源極位於元件底部 (ex. AONX36322)

Discrete MOS測試要求
一般來說Discrete MOS需要測試MOS的單體波型,比較重要的測試項目如下:
- Deadtime:兩顆MOS共同關閉的時間。
- Glitch:L/S關閉,H/S開啟時,L/S被寄生電容帶起來的電壓。
- VDS:H/S、L/S的VDS電壓。
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Q1、Discrete MOS的類別?
A1: Single MOS、Dual MOS和Bottom Source。
Q2、Dual MOS和Bottom Source的差別?
A2:Dual MOS常用於高速開關的應用;Bottom Source由於散熱效率良好,多用於高功率應用。
Q3、為何要測量Deadtime波形?
A3: Buck電路經由兩顆MOS交換開關來達成降壓需求,Deadtime是確保兩顆MOS不會同時開啟,以免造成電路短路。
Q4、Deadtime和Glitch是量哪裡的訊號?
A4: MOS的Gate和Source端壓差。
Q5、為何要測量Glitch?
A5:L/S關閉後,H/S打開時,L/S VGS會被H/S內部的寄生電容帶起來的突刺,若超過L/S的開機電壓,便會與H/S同開,有短路的風險。
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