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第二代CoolSiC™ 8-234mΩ 1200V
SiC MOSFET D²PAK-7L封裝
採用D²PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。
第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用於所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。
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產品特點
• 開關損耗極低
• 過載運行溫度最高可達Tvj=200°C
• 短路耐受時間2µs
• 標杆性的柵極閾值電壓，VGS(th)=4.2V
• 抗寄生開通能力強，可用0V柵極關斷電壓
• 用於硬換流的堅固體二極體
• .XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能
應用價值
• 更高的能源效率
• 優化散熱
• 更高的功率密度
• 新的穩健性功能
• 高可靠性
競爭優勢
• 最低RDS(on），最高輸出能力
• 市場上最精細的產品系列，8-234mΩ11個型號
• 過載運行溫度最高可達Tvj=200°C
• 強大的短路額定值
• 雪崩穩健性
應用領域
• 電動汽車充電
• 組串逆變器
• 在線式UPS/工業UPS
• 通用變頻器（GPD）
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