Silan SVSP60R090P7系列是一款最新具有更好的MOSFET特性，這種Super Junction MOSFET具有很好的特性，例如快速開關時間、低導通電阻、低閘極充電、低EMI特性和優異的雪崩特性特徵，主要適用於功率因數校正和開關模式電源。Silan SVSP系列MOSFET，可最大程度地減少功率損耗的電路，使用KEC的高性能Power trench在切換應用中減少MOSFET的損耗，從中優化的MOSFET切換性能的控制器和驅動程序，提供高功率密度解決方案。
Silan SVSP系列MOSFET是 N 通道增強採用士蘭超強技術生產的高壓功率MOSFET技術。它實現了低傳導損耗和開關損耗。它引導設計工程師發揮他們的力量轉換器具有高效率、高功率密度和優越熱行為的性能。此外，它具有普遍適用性，即適用於硬質和軟質切換拓撲的特性。
Silan SVSP60R090P7內部配置圖:
Silan SVSP60R090P7典型的應用電路圖:
Silan SVSP60R090P7系列特性比較圖:
Silan SVSP60R090P7 Super Jucntion MOSFET規格特性:
- Drain-Source電壓範圍：600 V至650V
- 連續輸出電流：8~38 A
- 全新革命性高壓技術
- Drain-Source ON Resistance：75mR至90mR
- 快速開關時間
- 低導通電阻
- 低閘極充電
- 低EMI特性
- 高性能多模式包裝
- 優異的雪崩特性特徵
- 超低柵極電荷
- 週期性雪崩額定值
- 極端 dv/dt 額定值
- 高峰值電流能力
- 100% 雪崩測試
- 無鉛鍍鉛
- 符合 RoHS 標準
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