據Yole Group預測，未來五年GaN器件市場的年複合增長率（CAGR）將達到46%。隨著2023年對GaN Systems公司的成功收購，英飛凌今年陸續發布多款氮化鎵系列新品，並表示將擴大CoolGaN™的優勢和產能，確保英飛凌在GaN器件市場供應鏈的穩定性。
2024年7月9日，英飛凌在慕尼黑電子展（Electronica）期間召開媒體發布會，重磅發布了多款CoolGaN™系列新品。英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務市場總監程文濤（圖左）、高級首席工程師宋清亮（圖右）出席了本次媒體會，為與會嘉賓帶來新產品的詳細介紹並回答了相關提問。
新品詳情
使客戶能夠將氮化鎵（GaN）的應用範圍擴大到40 V至700 V電壓的新一代中壓 CoolGaN™ G3 系列電晶體，及高壓 CoolGaN™ G5 系列電晶體。
-
新一代CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列採用英飛凌自主研發的高性能 8 英寸晶圓工藝製造
-
CoolGaN™ G3 中壓電晶體，覆蓋了 60 V、80 V、100 V 和 120 V 的 CoolGaN™ 電晶體電壓等級，以及 40 V 雙向開關（BDS）器件，主要面向電機驅動、電信、數據中心、太陽能和消費應用
-
基於GIT的新一代高壓產品650 V G5系列適用於消費、數據中心、工業和太陽能領域的應用
CoolGaN™ G3系列電晶體和CoolGaN™ G5系列電晶體
擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓的CoolGaN™ 雙向開關（BDS） 。
-
CoolGaN™ BDS 650 V 和 850 V：採用真正的常閉單片雙向開關，具有四種工作模式。通過使用一個BDS代替四個傳統電晶體，可提高效率、密度和可靠性，使應用能夠從中受益並大幅節約成本
-
CoolGaN™ BDS 40 V：基於英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術的常閉單片雙向開關，能阻斷兩個方向的電壓，並且通過單柵極共源極的設計進行了優化，以取代電池供電消費產品中用作斷開開關的背對背 MOSFET
-
相比背對背矽FET，使用40 V GaN BDS的優點包括節省50% - 75%的PCB面積、降低50%以上的功率損耗，以及減少成本
-
目標應用和市場涵蓋移動設備USB埠、電池管理系統、逆變器和整流器等
具有無損電流檢測功能，簡化了設計並進一步降低了功率損耗的CoolGaN™ 智能感應 Smart Sense。
-
2 kV 的靜電放電耐受能力，可連接到控制器電流感應以實現峰值電流控制和過流保護
-
電流檢測響應時間約為200 ns，小於等於普通控制器的消隱時間
-
具有極高的兼容性
-
目標應用和市場涵蓋消費電子設備的充電器和適配器
CoolGaN™ BDS和CoolGaN™ Smart Sense
目前，新產品供貨期已公布
您可以查看下方了解詳情
掃描二維碼, 關注英飛凌官微尋找更多應用或產品信息
評論