太空應用是英飛凌科技股份公司的一個重要領域。英飛凌的產品被用於衛星、火星探測器儀器、太空望遠鏡等，即便在極端惡劣的條件下，這些應用也必須具備出色的可靠性。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌近日推出業界首款抗輻射（rad hard）1 Mb和2 Mb並行接口鐵電RAM（F-RAM）非易失性存儲器。這款存儲器是英飛凌豐富存儲器產品組合中的新成員，其特點是具有出色的可靠性和耐用性，在85攝氏度條件下的數據保存期長達 120 年，並且能以總線速度進行隨機存取和全存儲器寫入。
英飛凌F-RAM存儲器具有固有的抗輻射性能，該技術非常適合滿足太空應用不斷發展的任務要求，而這些應用歷來使用的是速度較慢、不太堅固的EEPROM非易失性存儲器。與同類產品相比，英飛凌產品的特點包括：更快的存儲器隨機存取速度；通過採用即時非易失性寫入技術提高數據安全性；低功耗、極低的編程電壓（低至2V）以及20 mA最大工作電流。
英飛凌抗輻射F-RAM存儲器的目標應用包括傳感器與儀器的數據存儲、校準數據的數據記錄、適用於數據加密的安全密鑰存儲，以及啟動代碼存儲等。除外太空應用，這款存儲器還適用於航空電子等應用的溫度要求（-55°C 至 125°C）。
與SPI版本一樣，英飛凌新推出的並行接口F-RAM存儲器通過其化學成分獲得了出色的非易失性存儲器特性，例如用原子態瞬時切換取代了EEPROM技術中的捕獲電荷至程序位。F-RAM本身不受軟錯誤、磁場或輻射效應影響，且無需軟體來管理頁面邊界。其接近無限的耐用性（1013個寫入周期）意味著不需要損耗均衡。
供貨情況
抗輻射F-RAM非易失性存儲器產品組合現已全面上市，包括2 Mb SPI存儲器以及1 Mb和2 Mb並行存儲器。了解更多信息，敬請訪問 www.infineon.com/1and2MbFRAM。
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