KIOXIA 鎧俠BiCS Flash™ 的特點

BiCS Flash™是鎧俠（Kioxia）在2007年發佈的3D快閃記憶體技術。這種技術通過垂直堆疊記憶體單元來增加儲存密度，從而超越傳統的2D NAND快閃記憶體。

主要特點

1. 高儲存密度：BiCS FLASH™ 採用三維垂直堆疊結構，使每個晶片的儲存密度高於傳統的2D NAND快閃記憶體。
2. 多層單元技術：BiCS FLASH™ 提供TLC（每單元3位元）和QLC（每單元4位元）技術，進一步提升了儲存容量。
3. 高效能：這種技術不僅提升了讀取和寫入速度，還增強了寫入/清除耐久度的可靠性。
4. 低耗電：相比於傳統的2D NAND，BiCS FLASH™ 在功耗方面更具優勢。

應用領域

BiCS FLASH™ 被廣泛應用於各種領域，包括：

1. 企業儲存：用於資料中心和伺服器的高效能儲存解決方案。
2. 消費電子：如智能手機、平板電腦等。
3. 汽車：提供可靠的車載儲存解決方案。
4. 工業應用：適用於需要高耐久度和高效能的工業設備。

鎧俠的BiCS FLASH™技術不斷進步，最新的第八代產品採用了218層垂直堆疊架構，進一步提升了容量和效能，單個晶片的容量達到2Tb，這是目前業界最大容量，並且提升寫入效能約70%。

KIOXIA BiCS FLASH™的演進

2015年	第二代BiCS Flash™	48層
2016年	第三代BiCS Flash™	64層
2017年	第四代BiCS Flash™	96層
2020年	第五代BiCS Flash™	112層
2021年	第六代BiCS Flash™	162層
2024年	第八代BiCS Flash™	218層

資料來源:https://tw.kioxia.com/zh-tw/business/memory/bics.html

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Q&A

1. BiCS FLASH™的技術優勢是什麼？

BiCS FLASH™利用垂直堆疊技術，能夠在相同的面積內容納更多的記憶體單元，從而提高儲存容量。

2. BiCS FLASH™的未來發展方向是什麼？

鎧俠持續進行技術創新，目標是進一步增加記憶體的堆疊層數和儲存密度，以滿足不斷增長的數據儲存需求。

3. BiCS FLASH™的耐久性如何呢?

BiCS FLASH™的耐久性相較於傳統的2D NAND技術有顯著提升，並增強了寫入和清除的耐久性及能保持高可靠性，使得非常適合用於需要高耐久性的產品。

4. 有哪些產品使用了BiCS FLASH™技術？

許多產品都採用了BiCS FLASH™技術如:SSD、智慧型手機、平板電腦、資料中心、伺服器、工業級SSD，這些產品和應用展示了BiCS FLASH™技術在各個領域的廣泛應用。