作者:英飛凌工業半導體

產品特點
• 針對低電感設計進行了優化
• 擴展運行溫度
• TVjop=175°C
• 與IGBT4相比,輸出電流增加了25%以上
• 銅鍵合線可實現大電流承載能力
• 燒結晶片,實現最高功率循環能力
• 總損耗減少達20%
• 封裝的CTI>400
應用價值
• 易於並行,因此可擴展電流
• 單一封裝,適用於多種應用和不同功率等級

產品特點
• 針對低電感設計進行了優化
• 擴展運行溫度
• TVjop=175°C
• 與IGBT4相比,輸出電流增加了25%以上
• 銅鍵合線可實現大電流承載能力
• 燒結晶片,實現最高功率循環能力
• 總損耗減少達20%
• 封裝的CTI>400
應用價值
• 易於並行,因此可擴展電流
• 單一封裝,適用於多種應用和不同功率等級
• 極其堅固可靠
• 單個模塊的功率更高
• 減少功率單元的數量
• 減小對冷卻要求
• 降低系統成本
• 低IGBT Eoff損耗
• 減少維護工作量
應用領域
• 風力發電
• 牽引
• 太陽能
• 儲能
• 電機控制和驅動
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