如今Type-C 推出更高規格PD的應用，相對的電壓也會隨之增長，就目前現有產品面來說，28V Type-C就相應而出，在未來幾年，根據 USB-IF 協會公佈的資料顯示，在擴展功率範圍 EPR 中，新增了 28V、 36V 和 48V 三種固定電壓檔和三種可調電壓檔。
目前Type-C PD 2.0 / PD 3.0支援5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/5A 輸出最大充電功率可達到100W。
Type-C PD3.1 則是從原本的100W上升至240W，以滿足現今各種產品用電的需求。
AOS推出一個AONZ66412 Dual XSPairFET 針對此Type-C的28V Type C EPR Charger Buck/Boost應用。
AONZ66412是一款40V對稱雙通道N-CH MOSFET半橋功率模組，集成于DFN5x6 XSPairFET，AONZ66412可以取代二個DFN5x6封裝MOSFET，提高效能的同時，也在簡化Charger線路所需4個MOSFET的計設，因封裝是採取倒裝技術（Bottom Source），故在PCB散熱表現上有其強大的效果表現。
在PCB的LAYOUT佈局上，減少了佔位空間並提高了效率，協助設計人員也可更有效的使用並實現設定的高效性能及佔比空間目標。
附上相關資訊以利設計人員參考
Q&A:
Q1. 針對Type-C 輸出電壓，目前是以那種為主?
A1. 目前2024年會以28V設計為主，預估2025年會朝36V前進！
Q2. 用4個MOSFET和Bottom Source MOSFET 2個，會有很大的差異嗎?
A2. 會的，在空間上就省下了二個位置，且因Bottom Source 是Dual MOSFET是包裝在一起，故在能量轉換上會有較僅的效能呈現。
Q3. 在Bottom Source XSPairFET Layout上要注意那些?
A3. 建議設計者需考量散熱效果，在佈局上以本體MOSFET延伸出去PAD，並打VIA孔且在各PCB板層鋪上PAD，以達到散熱效果最佳化。
Q4. Bottom Source XSPairFET和一般的Dual MOSET有什麼差異?
A4. Bottom Source XSPairFET是以倒裝技術下去做封裝。
Q5. 是否有效率測試可以參考?
A5. 如文章內容，有附上Single MOSFET and Bottom Source MOSFET 測試結果。