此參考設計中,在一個小型印刷電路板(PCB)上實現了具有2個輸入和1個輸出的電源多路復用器電路。設計中使用共漏極MOSFET的應用電路,可以實現BBM和MBB模式的切換。用於從多個電源切換的需求,諸如USB端子、非接觸式電源端子和智慧型手機、PC、平板電腦、可穿戴設備以及各種類型的遊戲設備和充電設備電池等。此外,大電流電池充電,如USB供電和快速充電需要使用低損耗MOSFET來提供功率。同時要防止當切換電源切換時,輸出回灌到輸入。可由BBM(先斷後合)或MBB(Make Before Break)操作來實現。』
(作者:東芝;出處:https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/design-development/referencedesign/detail.RD221b.html )
特點
- 2cm×2cm小尺寸電路板貼裝,具有2個輸入和1個輸出的電源多路復用器電路
- 使用共漏極MOSFET(SSM10N961L)
- 在20V和9V輸入之間切換,輸出電流為3A(最大值)
- 支持USB功率輸出、快速充電、無線供電等多種電源系統的切換
- 可切換MBB(先合後斷)、BBM(先斷後合)操作
說明
BBM Mode :
VINB以9V通電,VINA施加10ms的20V電壓脈衝
當向VINA施加20V,輸出電壓會從9V切換到20V,但此時控制VINA電壓的驅動器IC TCK421G導通MOSFET會有3ms的延遲,此期間的輸出電壓為0V。
當VINA變為0V,輸出電壓從20V切換到9V,但此時控制VINB電壓的驅動器IC TCK424G導通MOSFET一樣會有3ms的延遲,此期間的輸出電壓為0V。
當施加VINA電壓20V時,FLAG輸出為Hign(約5V)。
波形中的每個操作的細節如下 :
① 向VINB施加9V電壓,輸出電壓為9V
② 向VINA施加20V電壓時,FLAG輸出變為High(5 V)。VINA驅動器(TCK421G)在此時開始工作
③ 由於VINB驅動器(TCK424G)turn off,輸出為0V
④ 在VINA驅動器(TCK421G)turn on後,產生VINA電壓20V
⑤ 當VINA的電壓變為0V時,FLAG輸出變為Low(0V)。VINB驅動器(TCK424G)在此時開始工作
⑥ 由於VINA驅動器(TCK421G)turn off,輸出為0V
⑦ 在VINB驅動器(TCK424G)turn on後,產生VINB電壓9V
MBB Mode :
假設VINA電壓 > VINB電壓
- 向VINB施加電壓(VINA電壓關閉)。MOSFET Q1和Q2為共漏極連接,VINB電壓被輸出到VOUT。
- 當檢測到VINA導通時,MOSFET Q1的柵極變為0V且Q1關斷。此時VINB電壓會經由Q1的體二極體正向電壓輸出到VOUT。VOUT電壓會略低於VINB。
- 即使從VINA施加電壓,因為有Q1的體二極體阻擋,反向電流不會流向VINB。
上述操作允許通過MBB從VINB到VINA的無縫電壓輸出切換
物料規格
資料來源: 東芝( https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/design-development/referencedesign/detail.RD221b.html )
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