Toshiba 共漏極MOSFET的電源多路復用器電路

USB PD(USB Power Delivery)專門針對需要高功率供電的設備而開發,可以提供從15W(5V/3A)直至最大240W(48V/5A)的功率。USB PD具有角色交換功能,支持電源側和接收側的互換,要求USB充電設備能夠雙向供電,以便能夠同時支持電力傳輸和電力接收。『SSM10N961L是一款支持雙向供電,表貼面積較小的N溝道共漏極MOSFET。將該產品與東芝TCK42xG系列中的驅動IC相結合可構成具有防回流功能的負載開關電路或可以在先合後斷(MBB)和先斷後合(BBM)之間切換操作的電源多路復用器電路。基於這種產品組合,以下為適用於電源源多路復用器電路的參考設計(使用共漏極MOSFET)。



此參考設計中,在一個小型印刷電路板(PCB)上實現了具有2個輸入和1個輸出的電源多路復用器電路。設計中使用共漏極MOSFET的應用電路,可以實現BBM和MBB模式的切換。用於從多個電源切換的需求,諸如USB端子、非接觸式電源端子和智慧型手機、PC、平板電腦、可穿戴設備以及各種類型的遊戲設備和充電設備電池等。此外,大電流電池充電,如USB供電和快速充電需要使用低損耗MOSFET來提供功率。同時要防止當切換電源切換時,輸出回灌到輸入。可由BBM(先斷後合)或MBB(Make Before Break)操作來實現。』

(作者:東芝;出處:https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/design-development/referencedesign/detail.RD221b.html )

特點

  • 2cm×2cm小尺寸電路板貼裝,具有2個輸入和1個輸出的電源多路復用器電路
  • 使用共漏極MOSFET(SSM10N961L)
  • 在20V和9V輸入之間切換,輸出電流為3A(最大值)
  • 支持USB功率輸出、快速充電、無線供電等多種電源系統的切換
  • 可切換MBB(先合後斷)、BBM(先斷後合)操作

說明


BBM Mode : 

VINB以9V通電,VINA施加10ms的20V電壓脈衝

當向VINA施加20V,輸出電壓會從9V切換到20V,但此時控制VINA電壓的驅動器IC TCK421G導通MOSFET會有3ms的延遲,此期間的輸出電壓為0V。

當VINA變為0V,輸出電壓從20V切換到9V,但此時控制VINB電壓的驅動器IC TCK424G導通MOSFET一樣會有3ms的延遲,此期間的輸出電壓為0V。



當施加VINA電壓20V時,FLAG輸出為Hign(約5V)。




波形中的每個操作的細節如下 : 

①  向VINB施加9V電壓,輸出電壓為9V

②  向VINA施加20V電壓時,FLAG輸出變為High(5 V)。VINA驅動器(TCK421G)在此時開始工作

③  由於VINB驅動器(TCK424G)turn off,輸出為0V

④  在VINA驅動器(TCK421G)turn on後,產生VINA電壓20V

⑤  當VINA的電壓變為0V時,FLAG輸出變為Low(0V)。VINB驅動器(TCK424G)在此時開始工作

⑥  由於VINA驅動器(TCK421G)turn off,輸出為0V

⑦  在VINB驅動器(TCK424G)turn on後,產生VINB電壓9V

MBB Mode : 




假設VINA電壓 > VINB電壓

  1.  向VINB施加電壓(VINA電壓關閉)。MOSFET Q1和Q2為共漏極連接,VINB電壓被輸出到VOUT。
  2.  當檢測到VINA導通時,MOSFET Q1的柵極變為0V且Q1關斷。此時VINB電壓會經由Q1的體二極體正向電壓輸出到VOUT。VOUT電壓會略低於VINB。
  3.  即使從VINA施加電壓,因為有Q1的體二極體阻擋,反向電流不會流向VINB。

       上述操作允許通過MBB從VINB到VINA的無縫電壓輸出切換




物料規格



資料來源: 東芝( https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/design-development/referencedesign/detail.RD221b.html )

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