NCP51820高速柵極驅動器設計用於滿足駕駛增強模式（e-mode）的嚴格要求， 高電子遷移率電晶體（HEMT）和 柵極注入電晶體（GIT）， 氮化鎵（GaN）電源開關處於斷開狀態， 半橋功率拓撲。 NCP51820提供短和 匹配的傳播延遲與先進的電平偏移技術，提供−3.5 V至+650 V（典型）共模電壓範圍 用於高壓側驅動，而用於低壓側驅動的−3.5 V至+3.5 V共模電壓範圍。此外 該器件在高速開關應用中為兩個驅動器輸出級提供額定高達200V/ns的穩定dV/dt操作。
特點：
650 V，集成高側和低側柵極驅動器
•建議用於軟交換應用
•VDD高端和低端驅動器的UVLO保護
•雙TTL兼容施密特觸發器輸入
•分流輸出允許獨立開啟/關閉調節
•Source能力：1A；Sink能力：2 A
•分離的HO和LO驅動器輸出級
•針對GaN器件優化的1 ns上升和下降時間
•SW和PGND：高達3.5 V的負電壓瞬態
•所有SW和PGND參考電路的200 V/ns dV/dt額定值
特點：
650 V，集成高側和低側柵極驅動器
•建議用於軟交換應用
•VDD高端和低端驅動器的UVLO保護
•雙TTL兼容施密特觸發器輸入
•分流輸出允許獨立開啟/關閉調節
•Source能力：1A；Sink能力：2 A
•分離的HO和LO驅動器輸出級
•針對GaN器件優化的1 ns上升和下降時間
•SW和PGND：高達3.5 V的負電壓瞬態
•所有SW和PGND參考電路的200 V/ns dV/dt額定值
•最大傳播延遲小於50 ns •匹配傳播延遲小於5 ns
•用戶可編程死區控制
•熱停堆（TSD）
管腳說明：
內部框圖：
典型應用圖：
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