KEC 第三代SuperJunction MOSFET介紹

       KEC是一家于1969年成立於韓國的功率半導體專業公司，當時名稱為韓國電子控股公司，已非存儲電力半導體為中心，與國內主要家電、汽車製造廠商合作，提供向中、美、日等地區的出口比重，正慢慢擠身為國際性企業。KEC不斷的提高研發技術，和追求核心技術與技術革新，在韓國功率半導體國產化方面處於領先地位，KEC近日推出該公司Super Junction Gen3 MOSFET。Super Junction Gen3 MOSFET適合應用液晶電視電源(LCD/OLED TV)、網路通訊電源(Networking Power)、適配器電源(Adaptor)等應用領域。

           

        KEC近日推出Super Junction Gen3 MOSFET與其Super Junction Gen2 MOSFET相比有下面幾項特色，在電器方面Gen2 MOSFET適合中速切換(Medium Switching )/高堅固性(Hi-Ruggedness) 特性，Gen3 MOSFET適合高速切換(Fast Switching )/低功耗損失(Low Loss)特性。在應用方面Gen2 MOSFET屬於通用型(Universal)有低EMI 跟容易使用的特色，Gen3 MOSFET屬於高效能(High Performance)跟低EMI的特色。

        KEC推出Super Junction Gen3 MOSFET電壓(BVDSS)有600V跟650V兩款，包裝各有DPAK跟全塑封TO-220IS與TO-220ISW等封裝，600V Gen3 MOSFET提供RDS(ON)是從0.58ohm至0.125ohm，電流(ID)分別從8安培至30安培，650V Gen3 MOSFET提供RDS(ON)是從0.58ohm至0.19ohm，電流(ID)分別從8安培至20安培，KEC Super Junction Gen3 MOSFET所提供電壓、包裝、RDS(ON)、電流適合應用液晶電視電源、網通電源、適配器電源等應用上。KEC Super Junction Gen3 MOSFET相關料號、包裝、電壓如下表1跟表2所示。

        

              表1、KEC Super Junction Gen3 600V MOSFET料號列表(來源:KEC)

             

                  表2、KEC Super Junction Gen3 650V MOSFET料號列表(來源:KEC)

KEC Super Junction Gen3 MOSFET特色:

1. 高性能
2. 低EMI
3. 高速切換
4. 低功耗損失

 

KEC Super Junction Gen3 MOSFET規格:

1. V_DSS = 650V、600V
2. V_GS = +/- 30V
3. R_DS(on),MAX = 0.58Ω ~ 0.125Ω
4. ID= 8A ~ 30A
5. DPAK、TO-220IS、TO-220ISW Package

 

應用產品:

1. 功率因數校正電路
2. 液晶電視電源
3. 網路通訊電源
4. 適配器電源