本章專業名詞：振鈴、雜散電感、自舉、米勒平台
一、什麼是自舉電路？自舉電路有何作用？
以H橋為例，當右下MOS導通，左上MOS導通後，MOS管S極電壓升壓為VM,G極電壓還是VM。Vgs為0，MOS管僅開通一瞬間變關閉，因此需要將MOS管G極與S極同時升壓，以維持MOS管導通，故稱自舉。
二、自舉電路的原理
如下是分立元件構成的自舉電路，下面詳細解釋其工作過程。
1.當PWM為1時，Q1導通，之後，Q2導通，14V電源電壓經過二極體與R4分壓後，降壓為12V作用在MOS管G極。三極體Q3，Vb>Ve,Q3導通。H橋左上MOS導通，S極電壓被抬升到24V。之後，由於自舉電容的電壓不可突變特性，自舉電容左端電壓被抬升為24V+14V=38V，該38V經Q2、D2、R4通路作用到MOS管G極，抬升G極電壓為38V，為此MOS管導通。
2.自舉電容儲能能力有限，經過步驟1後，如果一直給G極供電，電容電荷釋放完後，MOS管G極重新回到12V，Vgs=0,MOS管關閉，自舉電路失效。因此需要給自舉電容充電。
一、什麼是自舉電路？自舉電路有何作用？
以H橋為例，當右下MOS導通，左上MOS導通後，MOS管S極電壓升壓為VM,G極電壓還是VM。Vgs為0，MOS管僅開通一瞬間變關閉，因此需要將MOS管G極與S極同時升壓，以維持MOS管導通，故稱自舉。
二、自舉電路的原理
如下是分立元件構成的自舉電路，下面詳細解釋其工作過程。
1.當PWM為1時，Q1導通，之後，Q2導通，14V電源電壓經過二極體與R4分壓後，降壓為12V作用在MOS管G極。三極體Q3，Vb>Ve,Q3導通。H橋左上MOS導通，S極電壓被抬升到24V。之後，由於自舉電容的電壓不可突變特性，自舉電容左端電壓被抬升為24V+14V=38V，該38V經Q2、D2、R4通路作用到MOS管G極，抬升G極電壓為38V，為此MOS管導通。
2.自舉電容儲能能力有限，經過步驟1後，如果一直給G極供電，電容電荷釋放完後，MOS管G極重新回到12V，Vgs=0,MOS管關閉，自舉電路失效。因此需要給自舉電容充電。
3.當PWM為0時，Q1關斷，之後，Q2關斷。Q3的Vb=0，Ve=12V，故Q3導通。之後，MOS管Vgs=0，MOS管關斷。電機電感呈感性，電流無法突變，故電流在H橋下迴路流通，MOS管左下續流二極體導通，使自舉電容負極性端電壓為-0.7V。此時自舉二極體失效，14V電源電壓給自舉電容充電。
4.自舉電容充電完成後，重複1過程，整個PWM周期完成
三、注意事項
1.為了防止振鈴產生，需要在G極串聯20歐作用的電阻，同時並聯反向二極體以加速MOS管關斷。
2.為了減小米勒效應造成的MOS管發熱，可在MOS管G極與S極直接並聯10nf電容。
2.MOS管G、S極直接需要接下拉電阻，以防MOS管誤導通。
3.自舉電容應足夠大
四、相關鏈接
有關振鈴與米勒效應，此處不再贅述，相關鏈接如下：
1.振鈴淺談開關電源中的振鈴 - 知乎 (zhihu.com)
2.米勒效應MOS管：臭名昭著的米勒效應 - 知乎 (zhihu.com)
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