英飛凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，創建行業新基準

作者：英飛凌官微

英飛凌推出業內首款採用全新 OptiMOS™ 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用於服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半導體製造商，採用全新系統和應用優化的OptiMOS™ 7 MOSFET 技術。新產品創建行業新基準，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉換領域邁出新的一步, 釋放更優秀系統效率和性能，賦能未來。

與 OptiMOS™ 5 25 V 相比，更低的擊穿電壓可顯著降低通態電阻R_DS(on)和 FOMQ_g/FOMQ_OSS ，成為同類最佳的產品。可選的組合包括 PQFN 3.3x3.3 mm²源極底置封裝（帶底部和雙面散熱型）、襯底上的標準柵和中心柵電極，可靈活優化的 PCB 布局設計，以及緊湊的超小型PQFN 2x2 mm²封裝。脈衝電流能力超過 500 A，R_thjc為 1.6 K/W。結合源極底置封裝，不僅降低了導通和開關損耗，同時簡化散熱管理，還將功率密度和效率推向了新高度。該產品系列為支持數據中心配電架構的新趨勢（如48:1 DC-DC 轉換）提供了飛躍性的支持，開啟服務器、數據通信和人工智慧應用升級的新篇章，同時最大限度地減少了碳足跡。

主要特點

• 業內首款 15 V 溝槽功率 MOSFET

• 與 25 V 節點相比，R_DS(on) 達到新基準

• 出色的 FOMQ_g/ FOMQ_OSS

• 極低的寄生效應

• 提供標準和中心柵極引腳

• 可選雙面散熱型

 

主要優勢

• 適用於高轉換率DC-DC 轉換器

• 降低導通/開關損耗

• 最佳開關性能和低過沖

• 源極底置中心柵極可優化並聯電路布局

• 源極底置標準柵極可與現有PCB 布局輕鬆匹配

• 雙面散熱，提高散熱性能

 

價值主張

• 適用於高比率 DC-DC 轉換器：

  業內首款工業級 15V 垂直溝槽技術功率MOSFET

• 與 OptiMOS™ 5 25V 相比，R_{DS(on),max4,5} 降低 30%

• 出色的 FOMQ_OSS 和 FOMQ_g

• 緊湊的PQFN 2x2 mm²封裝

• I_D（pulse）=516A，R_thJCmax=3.2K/W

• 雙面散熱PQFN 3.3x3.3 mm²源極底置封裝：

  - 簡化散熱管理

  - 降低系統溫度

• 提高功率密度

 

15V產品組合