Layout設計中的幾個關鍵步驟是布局、走線、鋪銅、散熱，英諾賽科高壓單管GaN的Layout設計也不例外。
反激拓撲是高壓單管GaN的典型應用，快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意，如下圖所示，Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合，避免IC地受干擾導致驅動振盪。
在GaN應用時，Layout上還需注意以下方面：
1) 由於電流檢測電阻的存在，此種場合GaN的開爾文腳與源極直接連接，否則電流採樣電阻失去作用。
2) Source端與bulk電容地的走線儘可能短、粗，減小寄生電感LS。
3) 驅動電路和功率電路分開布置，避免干擾
4) 驅動IC及驅動電路儘量靠近GaN一些，減小驅動迴路的走線和面積
5) 高壓場合，GaN的漏源極交疊銅皮的寄生電容儘量小，以優化開關loss。
反激拓撲是高壓單管GaN的典型應用，快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意，如下圖所示，Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合，避免IC地受干擾導致驅動振盪。
在GaN應用時，Layout上還需注意以下方面：
1) 由於電流檢測電阻的存在，此種場合GaN的開爾文腳與源極直接連接，否則電流採樣電阻失去作用。
2) Source端與bulk電容地的走線儘可能短、粗，減小寄生電感LS。
3) 驅動電路和功率電路分開布置，避免干擾
4) 驅動IC及驅動電路儘量靠近GaN一些，減小驅動迴路的走線和面積
5) 高壓場合，GaN的漏源極交疊銅皮的寄生電容儘量小，以優化開關loss。
下面為DFN封裝的高壓GaN在65W快充應用中的layout案例：
QR反激拓撲，GaN在高網下無法零電壓開通，GaN的漏極和源極的鋪銅如果形成寄生電容，會額外增大開通loss，該案例的Layout中避免了該問題，由左圖可見。同時，GaN的功率迴路和驅動迴路在布局上較好的分開，避免了功率電路對驅動電路的干擾。
另由圖可見，通過中間層的大鋪銅將輔助電源的地和功率的地線相連，地線的處理乾淨清晰.
評論