AOS αMOS5 MOSFET 應用:

2023年3月10日，AOS宣布推出600V 110moh和140mohm DFN8*8封裝αMOS5 Super Junction MOSFET。αMOS5是AOS的高壓MOSFET最新時代，常常被設計在高效率、高密度的快充、電源供應器、PC系統、伺服器、工業電腦、網通電信、大規模的資料庫等…

當今的伺服器電源需要兩個主要的因素，一個是高效率一個是小型化可以容納1U或0.5U或者是更小的系統。在高功率輸出的需求下，傳統的PFC和LLC架構是需要被Gate driver控制Mosfet，然而Kelvin Sources包裝是允許將電源分開透過DS端去做連結，去抑制di/dt減少Vgs的動態響應及turn on損失。另外，減少系統損失，縮小磁性元件和switching損失也可以達到ZVS/ZCS效果，目前有推出控制主動式橋式整流的driver(e.g., AOZ7200)，並可以將MOSFET取代二極體做的橋式整流。

AOS最新推出AONV110A60及AONV140A60，600V低阻抗，DFN 8mm x 8mm，相較D2PAK, DPAK, TO-220(F)為更小的封裝且提供高效應的footprint和溫度損耗。64mm² footprint使AONV110A60及AONV140A60更適合在主動式橋式整流及PFC/LLC/Flyback的架構上。在內部的模擬中，相較4顆AONV110A60及傳統8A GBU806二極體橋式下功率下(300W 90V)，AONV110A60的主動式橋式整流減少了50%的功率損耗，並提高效率1.1%。

技術亮點:

• 低阻值封裝在64mm² DFN8x8
• 封裝厚度 < 1mm
• 可以自動化組裝打件
• MSL Level 1

 

參考來源: AOS Website: https://aosmd.com/zh/newsroom

 

Q&A:  

1. 如何選用適合的Mosfet? 

ANS: 選用Mosfet需考量電流容量、開關速度、封裝類型,如有高效率/高密度需              求可再針對低Rdson進行選用

 

2. 造成Mosfet的功率損耗是什麼? 

ANS: 驅動損耗:Mosfet是由驅動IC控制開關頻率,因此頻率越快損失越大

  導通損耗:當Mosfet導通時,流過電流會與內阻Rdson產生功率損失

 

3. Mosfet的優點/缺點是? 

ANS: 優點: 體積小、重量輕、開關速度快、無噪音、無電弧。

     缺點: 漏电流大、靜態功號高、温度敏感 

 

4. 除選用低Rdson Mosfet外,還有什麼方式改善損耗? 

ANS: 可優化PCB布局 or 降低工作频率等 

 

5. Mosfet結構中影響Rdson的因素有什麼?

ANS: 通道寬度:  增加通道寬度是一種提MOSFET性能和降低Rdson的常用方法。

     通道長度: 縮短通道長度可以降低MOSFET的導通電阻。