NPC2三電平拓撲橫管過壓保護開關邏輯

作者:英飛凌工業半導體 何通

NPC2三電平拓撲因為其效率高,諧波含量低,在光伏逆變器設計中應用非常廣泛。由下圖可以看到,NPC2由四個開關管構成,包含豎管T1/T4,橫管T2/T3。



在市電異常或者逆變器系統故障時,逆變器是否需要特殊的開關邏輯,對NPC2拓撲中的橫管進行過壓保護呢?

我們以橫管T2/3採用50A 650V H5 IGBT IKW50N65H5,豎管T1/4為40A 1200V S6 IGBT IKW40N120CS6為例子。

當市電異常時,逆變器啟動保護機制,如下圖,從波形上看,T1與T2同時開始關斷,但因為H5晶片開關速度天然比CS6快很多,即使在關斷電阻T2>T1的情況下(T2 Rg=40ohm,T1 Rg=20ohm),T1的Vge下降速度依然比T2的Vge下降速度要慢,T2先關斷。從波形上看,T2的Vce電壓平台維持在780Vdc附近,持續了50us。對於800V母線系統,NPC2拓撲,橫管最好用650V器件,其損耗比1200V低,但780V的電壓平台已經遠遠超過器件的最大CE耐壓。雖然下面波形圖的管子還沒有損壞,但是這在設計中絕對不允許的,需要把電壓降低至合理的水平。



對於這種情況,可能的原因是,線路上雜散電容Cs(或者RC吸收電路上的電容Cs)的電荷無法釋放造成。



如上圖,Cs模擬雜散電容(或者RC吸收電容),以正半周為例,T2比T1先關斷:

左圖T1,T2開通T3的電容(Cs)會被充電,電壓在+Bus,中圖當T2先關斷時,Cs的電荷的泄放迴路被切斷,Cs電壓會維持在+Bus,右圖當T1關斷時,輸出電感電流通過T4的二極體續流,AC輸出的點會被嵌位到-Bus。從而T2 CE兩端電壓會在+Bus和-Bus之間,總電壓會是2倍Bus,遠超橫管常用的1倍Bus電壓的器件選型。

如果,改變T1,T2的關斷時序,T1比T2先關斷:



如上圖,左圖,T1開通時,Cs電壓為+Bus。中圖,當T1先關斷,因為T2還在開通,電感在續流情況下,電流會從中點流向AC輸出端,Cs電容上的電壓會被釋放掉至0。右圖,當T2關斷時,電流通過T4二極體續流,AC輸出端被嵌位在-Bus。在T2CE兩端的電壓為0和-Bus。總電壓是1倍Bus電壓。與第一種情況相對,T2上電壓會減少一半。T2沒有過壓的風險。

 

仿真驗證:

以PLECS仿真軟體,搭建上圖的線路。以T2先於T1關斷,和T2延後T1關斷兩種情況來進行仿真。



上圖當T2比T1先關斷,三通道T2 Vce=800V.





上圖當T1比T2先關斷,三通道T2 Vce=400V.

 

實驗驗證:

第二次測試,減小T1 Rg=10ohm,維持T2 Rg=40ohm,從下面的波形可以看出,T1Vge下降速度比T2Vge下降速度要快,T1比T2先關斷,T2 Vce電壓平台會維持在390Vdc附近,大約為1/2母線電壓。可以得知此方法對減少T2過壓有很好的效果。



從上述的分析和實驗可知,當橫管雜散電容較大(或有RC吸收電路)時,在市電異常或者逆變器系統故障時,逆變器需要加入橫管的延時關斷策略,以減少橫管過壓的風險發生。


參考閱讀

IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什麼

如何基於通用半橋模塊來設計三電平變流器

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