帶有高壓驅動器的600 V半橋增強模式GaN HEMT
產品說明
MASTERGAN1L是一款採用了GaN HEMT SiP的600V半橋驅動器，不僅待機功耗更加出色，而且支持比MasterGaN1更高的開關頻率。
MASTERGAN1L的主要特性包括：
- 緊湊性：由於GaN更高的開關頻率以及可將驅動器和兩個GaN開關納入同一封裝的出色集成度，用戶可以打造出體積僅為基於MOSFET開關的電源1/4的高功率密度電源。
- 穩健性：離線驅動器針對GaN HEMT進行了優化，可以實現快速、有效和安全的驅動和布局簡化。
- 方便設計：管理分立的GaN開關可能會比較困難，而嵌入式驅動器可以有效管理GaN開關，從而簡化電源設計。
產品特色
• BOM成本更低，效率和穩健性更加出色，且板件布局得到了簡化
• 輸入引腳張力與寬電壓範圍相匹配，且不受器件VCC的影響
• 支持自動管理互鎖狀況
產品優勢
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