淺談英諾賽科氮化鎵與矽MOS關斷過程對比

1）：t0-t1時間段，Vgs電壓下降至米勒平台電壓，此過程不產生損耗。
2）：t1-t2時間段，在此時間段內因Si MOS的Crss、Coss線性度差導致Vds緩慢上升，Id幾乎不變（Id=Ipk），造成損耗。

3）：t2-t3時間段，Vgs從米勒平台快速下降至零，Vds與Id交疊，產生關斷損耗。
4）：t0-t3整個關斷過程，InnoGaN的Ciss、Crss比Si MOS小，可工作在更高頻率。