淺談英諾賽科氮化鎵與矽MOS開啟過程對比

1）：t0時刻，Vgs電壓達到Vth值，此時開關管未導通，無損耗。
2）：T0-t1時間段，Vgs電壓到達米勒平台電壓，存儲在Coss的能力通過溝道釋放，造成的損耗為Ploss=Eoss*fsw，InnoGaN的Eoss比Si MOS小，故損耗更小。

3）：t1-t2時間段，為米勒平台時間，Crss越大時間越長，時間越長損耗越大，InnoGaN的Crss是Si MOS的1/15，幾乎無米勒平台，故損耗更小。
4）：t0-t3時間段，為開關管的開通時間，InnoGaN的Ciss是Si MOS的1/20，開通速度更快，開關損耗更小，可工作在更高頻。