SOI-BSI NIR+ 是晶相光電的旗艦級像素技術，利用 FSI 和 SOI-BSI 的先進技術力量，不斷進行創新，從而形成 SOI-BSI NIR+ 近紅外線加強 的像素架構。SOI-BSI NIR+ 是晶相光電的旗艦級像素技術，利用 FSI 和 SOI-BSI 的先進技術力量，不斷進行創新，從而形成 SOI-BSI NIR+ 近紅外線加強 的像素架構。
SOI-BSI NIR+進一步完善了晶相光電顛覆性的像素架構和工藝，能獲得前所未有的近紅外線（NIR）成像量子效率和更高品質的影像。
SOI-BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術可為在低光或無光環境中運行的應用提供新的可能性，同時降低總功耗。
SOI-BSI NIR+ 能夠提供更高品質的影像捕捉和更大的偵測範圍，而且對光源功率的要求更低，從而可以使晶相光電影像感測器捕捉到更優質、更遠的影像，同時延長電池壽命 。
SOI-BSI NIR+ 技術的量子效率（QE）在850奈米處提升3倍，在940奈米處提升5倍，創造了新的產業記錄，為廣泛的機器視覺和夜視應用提供了更精確的影像數據 捕捉和更多細節。 晶相光電推出的多款影像感測器產品產品均採用了 SOI-BSI NIR+製程技術
SOI-BSI NIR+進一步完善了晶相光電顛覆性的像素架構和工藝，能獲得前所未有的近紅外線（NIR）成像量子效率和更高品質的影像。
SOI-BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術可為在低光或無光環境中運行的應用提供新的可能性，同時降低總功耗。
- SOI-BSI NIR+ 技術優點SOI-BSI NIR+ 技術優點
SOI-BSI NIR+ 能夠提供更高品質的影像捕捉和更大的偵測範圍，而且對光源功率的要求更低，從而可以使晶相光電影像感測器捕捉到更優質、更遠的影像，同時延長電池壽命 。
- 更高品質的影像
SOI-BSI NIR+ 技術的量子效率（QE）在850奈米處提升3倍，在940奈米處提升5倍，創造了新的產業記錄，為廣泛的機器視覺和夜視應用提供了更精確的影像數據 捕捉和更多細節。 晶相光電推出的多款影像感測器產品產品均採用了 SOI-BSI NIR+製程技術
- 更大的影像檢測範圍更大的影像檢測範圍
採用 SOI-BSI NIR+ 的產品可實現更明亮的近紅外線（NIR）成像，從而增加檢測監控距離，更快地檢測物體，並為 AI 安全系統和操作人員提供更充足的反應時間。
- 更少的LED，更長的電池壽命更少的LED，更長的電池壽命
透過優化近紅外線靈敏度，SOI-BSI NIR+ 影像感測器所需的紅外線LED更少，使機器視覺設計人員能夠延長電池壽命，打造出更緊湊的外形，同時降低系統成本。
- SOI-BSI NIR+ 產品應用：
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