意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 電晶體柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了晶片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶晶片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
這款單通道驅動器可連接最高1200V的電壓軌，而STGAP2GSN 窄版可連接高達 1700V的電壓軌，柵極驅動電壓最高15V。該驅動器能夠向所連接的 GaN 電晶體柵極灌入和源出最高3A的電流，即使在高工作頻率下也能精準控制功率電晶體的開關操作。
STGAP2GS 跨越隔離勢壘的傳播延時極短，只有 45ns，動態響應快速。此外，在整個工作溫度範圍內，dV/dt 瞬變電壓耐量為 ±100V/ns，可防止電晶體柵極電流發生不必要的變化。STGAP2GS 具有獨立的灌電流和源電流引腳，可輕鬆調整柵極驅動操作方式和性能。
STGAP2GS 驅動器無需使用光學隔離分立元件，方便消費電子、工業控制等產品設備採用高效、穩健的 GaN 技術。目標應用包括計算機服務器電源、工廠自動化設備、電機驅動器、太陽能發電、風力發電系統、家用電器、家用電風扇和無線充電器。
除了集成電流隔離功能外，新驅動器還具有內置系統保護功能，包括針對 GaN 技術優化的熱關斷和欠壓鎖定 (UVLO)，確保驅動器的可靠性和耐變性。
EVSTGAP2GS和 EVSTGAP2GSN 兩個演示板分別集成標準版STGAP2GS 和窄版 STGAP2GSN 與 ST 的 SGT120R65AL 75mΩ、650V 增強型 GaN 電晶體，幫助用戶評估驅動器的功能。
採用 SO-8 寬體封裝的 STGAP2GS 和 SO-8窄體封裝的STGAP2GSN現已上市。
詳情訪問www.st.com/stgap2gs.
評論