意法半導體1350V新系列IGBT電晶體STPOWER IH2 提高耐變性和能效

2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT電晶體將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保電晶體在所有工作條件下具有更大的設計餘量、耐變性能和更長久的可靠性。

 

新推出的 STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉換能效，相關參數十分出色，例如，飽和電壓 Vce(sat)很低，確保器件在導通狀態下耗散功率很低。續流二極體的壓降很低，關斷電能得到優化，讓工作頻率16kHz 至 60kHz 的單開關准諧振轉換器具有更高的能效。

 

新IGBT具有很好的耐變性和能效，非常適合電磁加熱設備，包括廚房爐灶、變頻微波爐、電飯鍋等家用電器。在2kW應用中，意法半導體的新型IGBT器件可將功耗降低11%。

 

此外， Vce(sat) 具有正溫度係數效應，器件之間緊密的參數分布有助於簡化設計，並輕鬆並聯多個 IGBT管，以滿足高功率應用需求。

 

該系列先期推出的兩款器件 25A STGWA25IH135DF2 和 35A STGWA35IH135DF2 現已量產，採用標準 TO-247 長引線功率封裝。

 

詳情訪問 www.st.com/stpower-ih2-series-igbts 。