1-1 Micron 隨著近幾年 PCIe Gen 4&5 技術及 NVMe SSD 在storage的快速發展 , 美光宣布其首款CXL 2.0內存擴展樣品已經正式可用，這些Modules 可為server 提供更容易獲取的，低成本的DRAM內存。增加處理器內核只是解決許多應用計算難題的一部分。在大多數情況下為這些處理器內核提供數據的內存帶寬至關重要。 CPU 供應商試圖通過增加更多的內存通道和提高這些通道的數據傳輸速率，CPU 廠商試圖通過漸進式的進步來緩解擴展差距問題。
1-2 顯示了過去十年 CPU 內核數和 DDR DRAM 數據傳輸速率的增長情況 以及 2011 年、2017 年、2021 年和 2023 年內存通道的增加情況。然而，即使理論內存數據速率和更多內存通道，內存帶寬要跟上 CPU core 的增長並保持與 CPU 內核數的增長保持同步，並長期保持每個內核 4 GB/秒的速度，也是一項挑戰。
1-3 最新一代AMD EPYC 9754 和Intel Xeon Scalable分別提供12和8 channel 的 memory 系統，提供高達460.8 – 370.2 GB/s的B/W，single channel server station 可提供4-6TB內存容量，儘管如此，但Density 還是不夠用。
為了解決Memoery density 不夠的問題，美光開發了基於CXL 2.0的 storage modules CZ120，內置了128GB或者256GB的DRAM density ，可通過PCIe 5.0x8的interface link 到Host 。美光的CZ120 memory module 使用Microchip的SMC 2000系列contorller ，contorller support 兩個64位DDR4/DDR5 ，支持美光使用1α（1-alpha）Memory 生產節點製造的DRAM。每個CZ120Module提供高達36 GB/s的B/W，僅略落後於DDR5-4800 RDIMM（38.4 GB/s），但遠遠領先於基於NAND的storage devices 。
1-4 CXL 為平衡 "Memory Wall "問題提供了必要的架構，所謂 Memory wall 的問題 是指當處理器的速度超過數據傳入和傳出內存系統的速度時，計算機體系結構中出現的一種現象。因此，處理器必須等待從內存中獲取數據，這會降低其性能並限制其速度。
1-2 顯示了過去十年 CPU 內核數和 DDR DRAM 數據傳輸速率的增長情況 以及 2011 年、2017 年、2021 年和 2023 年內存通道的增加情況。然而，即使理論內存數據速率和更多內存通道，內存帶寬要跟上 CPU core 的增長並保持與 CPU 內核數的增長保持同步，並長期保持每個內核 4 GB/秒的速度，也是一項挑戰。
1-3 最新一代AMD EPYC 9754 和Intel Xeon Scalable分別提供12和8 channel 的 memory 系統，提供高達460.8 – 370.2 GB/s的B/W，single channel server station 可提供4-6TB內存容量，儘管如此，但Density 還是不夠用。
為了解決Memoery density 不夠的問題，美光開發了基於CXL 2.0的 storage modules CZ120，內置了128GB或者256GB的DRAM density ，可通過PCIe 5.0x8的interface link 到Host 。美光的CZ120 memory module 使用Microchip的SMC 2000系列contorller ，contorller support 兩個64位DDR4/DDR5 ，支持美光使用1α（1-alpha）Memory 生產節點製造的DRAM。每個CZ120Module提供高達36 GB/s的B/W，僅略落後於DDR5-4800 RDIMM（38.4 GB/s），但遠遠領先於基於NAND的storage devices 。
1-4 CXL 為平衡 "Memory Wall "問題提供了必要的架構，所謂 Memory wall 的問題 是指當處理器的速度超過數據傳入和傳出內存系統的速度時，計算機體系結構中出現的一種現象。因此，處理器必須等待從內存中獲取數據，這會降低其性能並限制其速度。
因此Micron CZ120 並為通過內存擴展實現經濟內存解決方案提供了新方案，通過內存擴展實現經濟的內存解決方案。
此外，CXL 靈活可擴展架構提高了計算和內存資源的利用率和運行效率可根據 work load 需求擴大或縮小資源規模。 CXL 連接的內存提供了巨大的在分層內存存儲和實現獨立於 CPU 內核的內存擴展等新領域提供了巨大的發展機遇。
CPU 內核。與沒有 CXL 的情況相比，CXL 將有助於維持更高的 DRAM 位增長率。以某個說法 Micron CXL 不會impact DRAM 位數加速增長，但它對 DRAM 的淨增長是積極的增長。
Reference
1. Micron Launches Memory Expansion Module Portfolio to Accelerate CXL 2.0 Adoption | Micron Technology
2. CXL 記憶體 |計算高速連結 |美光科技 (micron.com)
3.White Paper Template (micron.com)
4.https://developer20.com/memory-wall-problem/
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