600/650 V超結功率MOSFET技術是全球唯一同時適用於硬開關 (PFC) 和軟開關 (LLC) 的技術，600/650 V MDmesh M9系列可以實現更緊湊的解決方案，同時提高功率密度。快速本徵二極體MDmesh DM9系列能夠提供更高的dv/dt和di/dt值，從而增加應用的耐用性和可靠性。憑藉市場上出色的品質因數以及低於前代產品最多46%的RDS(on)，這些超結功率MOSFET可以幫助設計師提高系統效率，增加功率密度，優化散熱能力。
歡迎查看全新的MDmesh M9和MDmesh DM9宣傳單，全面了解上述STPOWER超結產品系列的關鍵特性和優勢。
https://www.st.com/resource/en/flyer/fl2305mdmeshm9.pdf?icmp=tt32592_gl_lnkon_may2023
https://www.st.com/resource/en/flyer/fl2205mdmeshdm9.pdf?icmp=tt32592_gl_lnkon_may2023
測試和分析部分展示了與前代技術和優秀競爭產品的比較基準，突出了我們新系列產品在電源效率方面的出色性能。
關鍵特性和優勢
- 市場上出色的品質因數 (RDS(on) x Qg)
MDmesh M9系列特點
- 在650 V電壓範圍下具有業界極低的RDS(on)
- 極低的Qg
- 更高的反向二極體dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性
- 更高的功率水平
- 增加的功率密度和更低的傳導損耗
- 高效率和低開關功率損耗
- 高開關速度
- 更高的穩健性和可靠性，更緊湊的設計
MDmesh DM9系列特點
- 本徵二極體反向恢復時間性能提高 (trr)
- 更高的dv/dt (120 V/ns) 和di/dt能力 (1300 A/µs)
- 優化的體二極體恢復階段和軟度
- 更高的功率水平
- 極高的效率性能和更高的功率密度
- 增強了系統可靠性和穩定性
- 更高的工作頻率和更好的熱管理
主要應用
MDmesh DM9系列特點
- 電動汽車充電站
- 電信數據中心
- 5G發電站
- 服務器
- 逆變器
- UPS和能源存儲系統
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