FEM簡介

關鍵字 :VC5450UNISOC

1. 什麼是FEM

1.1 FEM簡介

FEM,Front-end Modules,即就是前端模塊。硬體電路中的前端模塊完成射頻信號的發送放大以及接收放大(with bypass)、濾波,甚至包含功率檢測、控制和開關的這樣一個作用。對於Wi-Fi產品,FEM分為2.4G FEM和5G FEM,分別應用於2.4G和5G頻段。

下圖是VC5450的功能框圖:

FEM內部一般集成了:

  • PA:Power Amplifier,功率放大器。是指能輸出大功率信號的放大電路。
  • LNA:Low Noise Amplifier,低噪聲放大器。噪聲係數很低的放大器。一般用作各類無線電接收機的高頻或中頻前置放大器,以及高靈敏度電子探測設備的放大電路。
  • Switch:控制TX和RX切換工作的開關,使TX和RX共用天線。
  • 反饋電路DET:輸出功率與反饋電壓值一般線性相關,根據反饋的電壓值可以計算出輸出功率大小。

1.2 FEM主流廠家

  • 美國廠家:Skyworks、Qorvo
  • 台灣廠家:Richwave
  • 國產廠家:康希通信、Vanchip

2. FEM重要參數介紹

2.1 TX指標

上圖是VC5450規格書中關於TX的參數,此FEM是適配5G Wi-Fi頻段。

(1)首先需要理解dB和dBm:

dB即分貝,是一個純計數單位,它的計算公式為:dB = 10lg(A / B),此時A和B表示功率。dB是相對值,是一個功率相對於另一個功率的差。比如,我們常說“這個PA的功率比那個PA的功率高/低3dB”。

dBm即分貝毫瓦,是表示功率絕對值的單位。通常,我們會說XXX PA的功率是20dBm,而不會說是20dB 。dBm功率與mW(毫瓦)功率的轉換公式:dBm = 10 log(功率值/1mw),此處的功率值,是以毫瓦(mW)為單位時的數值。

  • 知識點一:20dBm=100mW,30dBm=1000mW
  • 知識點二:當在功率P(dBm)上增加或減少3dB,則它以mW為單位的功率就會增加一倍或者減少一半。17dBm=20dBm-3dB=0.5 * (100mW)=50mW,23dBm=20dBm+3dB=2*(100mW)=200mW 。
  • 知識點三:當在功率P(dBm)上增加或減少10dB,則它以mW為單位的功率就會增加至原來功率的10倍或降低至原功率的1/10。如10dBm=20dBm-10dB=0.1 * (100mW)=10 mW,30dBm=20dBm+10dB=10*(100mW)=1000mW


(2)理解了dB和dBm之後,就可以正確理解Transmit gain和Output power的含義。

Transmit gain,即發射增益,單位dB。指的是此FEM能提供的最大增益,一般不建議使用滿增益來發射功率,增益太大容易造成失真或者輸出功率不平。

Output power,即輸出功率,單位dBm。指的是FEM能輸出的最大功率。

  • 假設RFIC在HT20/MCS7模式下可以輸出0dBm的功率,那麼經過FEM放大之後,輸出功率為22dBm。此時FEM的增益為22dB。此處重點是實際輸出功率不能超過FEM的最大輸出功率。
  • 假設RFIC在HT20/MCS7模式下可以輸出-10dBm的功率,那麼經過FEM放大之後,輸出功率為20dBm。此時FEM的增益為30dB。此處重點是實際發射增益不能超過FEM的最大發射增益。

(3)FEM本身具有功耗,一般FEM的最大功耗是TX最大時,此FEM的最大電流消耗為330mA,供電電壓為5V,計算功耗為1.65W。FEM的功耗也是重要參數,在選型和設計時需要特別注意。

(4)還有一些其它參數,並非是器件選型是重點關注的,如二、三次諧波指標,表示此FEM的內部濾波能力:


2.2 RX指標


上圖為VC5450的RX指標。

LNA Gain,低噪聲放大器的增益,原理上與Transmit gain一樣,但是這裡為什麼有兩個數值,一個為GLNA,一個為GOOB_RX

GLNA可以對接收到的信號提供15dB的增益,增強接收到的信號。在RFIC的接收靈敏度不變的情況下,通過外部FEM中的LNA放大功能,可以使RFIC接收到更小功率的信號,也就是增加了通信距離。

GOOB_RX,表示LNA旁路,旁路指的是LNA不使能,並提供-17dB的增益,進一步減小接收信號。此功能一般配合最大接收電平指標進行測試。當接收到的信號本身就比較大時,例如-20dBm,此時如果再使能LNA,那麼RFIC將收到-3dBm的信號,這個信號已經超出了RFIC允許收到的最大接收信號,可能會識別不了信號甚至會燒壞RFIC的接收部件。所以此時應該控制LNA bypass,結果就是RFIC實際收到的信號為-37dBm,在RFIC的接受範圍內。


上圖為VC5450的真值表,也是控制邏輯表。

通過LNA_EN和PA_EN兩個GPIO,可以控制FEM實現4種功能,LNA_EN和PA_EN由RFIC控制。

此真值表需要跟RFIC內部控制邏輯匹配,否則無法正常工作,RFIC內部內部控制邏輯可以通過寄存器修改配置,但一般只有FAE知道具體的修改方法。

2.4 參考設計

 

上圖為VC5450的原理圖參考設計,VCC11和VCC10的濾波電路。

3. FEM設計指南

  • 建議選擇開關頻率大於1MHz且動態響應好的DC-DC電路給FEM供電,DCDC的輸出電流要大於FEM的最大工作電流。
  • 電源走線VCC11和VCC10按兩個網絡處理最後用0Ω匯集到PA電源,這樣分配的濾波電容layout不會混亂且兩路電源的互擾最小,VCC11,VCC10的濾波電容要預留夠,保證其滿載紋波小於100mV。
  • 原理圖設計預留夠相關調試電路,Tx,Rx,ANT預留π型電路。
  • 諮詢FAE針對該FEM的layout guide,或者發給FAE review FEM部分電路的SCH和PCB  layout. 按照layout guide和FAE指導進行PCB設計。
  • 每顆FEM的PCB布局間距建議大於10mm以上,方便FEM的散熱;同時FEM設計建議四層板或以上設計,預留完整的參考地平面,FEM背面開窗漏銅處理,方便貼導熱矽膠,保證FEM穩定工作。
  • 多顆FEM共存,建議每顆FEM的供電使用電阻或磁珠隔離。
  • 4G和5G共存,建議2.4G和5G的FEM分別供電,如果成本和空間受限,可以不考慮。

4. 調試指標要求

  • 射頻實際的輸出功率指標一般小於規格書標稱值Output power1~2dB。
  • TX gain不建議滿載,如達到規格書指標的-29.5dB,此時輸出功率EVM可能會惡化,或者各個信道之間功率不平。
  • LAN 增益一般要求達到規格書指標,例如15dB。
  • FEM的電源紋波要小於電壓的5%,電源功率不能超過規格書參數。
  • 如果FEM晶片溫度接近或超過標稱值,需要考慮散熱措施。
  • ≥48h的長時間高、低溫穩定性測試,可以配合整機測試。

Q1、VC5450工作電壓是多少?
A1、VC5450工作電壓是5V和3V。

Q2、VC5450應用於哪些市場?
A2、VC5450主要應用於物聯網市場。

Q3、VC5450應用在哪些產品上?
A3、VC5450應用在家庭網關、用戶預定設備等。

Q4、VC5450產品優勢在哪裡?
A4、VC5450-21集成了一個具有優 越線性輸出功率 的5GHz PA、一個5GHz可旁路LNA和一個單極 雙擲(SPDT)開關。LNA的 低噪聲係數提高了接收機靈敏 度,降低了信號誤碼率。

Q5、VC5450發射與接受增益多少?
A5、VC5450發射增益是5dB,接受增益15dB。

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