功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心。功率半導體是一 種廣泛用於電力電子裝置和電能轉換和控制電路的半導體元件,可通過半 導體的單嚮導電性實現電源開關和電力轉換的功能。
IGBT 具有電導調製能力,相對於 MOSFET 和雙極電晶體具有較強的 正向電流傳導密度和低通態壓降,因此兼具有 MOSFET 的高輸入阻抗 MOSFET 器件驅動功率小、開關速度快、BJT 器件飽和壓降低、電流密度 高和 GTR 的低導通壓降的優點。 onsemi已推出第7代IGBT。
IGBT 具有電導調製能力,相對於 MOSFET 和雙極電晶體具有較強的 正向電流傳導密度和低通態壓降,因此兼具有 MOSFET 的高輸入阻抗 MOSFET 器件驅動功率小、開關速度快、BJT 器件飽和壓降低、電流密度 高和 GTR 的低導通壓降的優點。 onsemi已推出第7代IGBT。
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