近期，英飛凌推出採用 TO263-7 封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC™ MOSFET。該款碳化矽 (SiC) MOSFET 具有高功率密度和效率，可實現雙向充電，並顯著降低車載充電 (OBC) 和 DC-DC 應用的系統成本。
與第一代產品相比，1200 V CoolSiC 系列產品開關損耗降低了 25%，具有同類最佳的開關性能。開關行為的改進可實現高頻開關，從而縮小系統尺寸並提高功率密度。由於開通閾值電壓（VGS(th)）大於4V且Crss/Ciss比率極低，因此在VGS = 0 V時可實現可靠的關斷，而且沒有寄生導通的風險。這使得單電源驅動成為可能，從而降低了系統成本和複雜性。另外，新一代產品具有低導通電阻（R DS(on)），減少了-55℃至175℃溫度範圍內的導通損耗。
先進的擴散焊接晶片貼裝工藝（.XT技術）顯著改善了封裝的熱性能，相比第一代產品，SiC MOSFET的結溫降低了25%。
此外，這款MOSFET的爬電距離為5.89 mm，符合800 V系統要求並減少了噴塗三防漆類工作量。為滿足不同應用的需求，英飛凌提供R DS(on)不同的一系列產品，包括目前市場上唯一採用TO263-7封裝的9 mΩ產品。
科世達在其 OBC 平台中使用 CoolSiC MOSFET
KOSTAL Automobil Elektrik在為中國OEM廠商提供的新一代OBC平台中採用了英飛凌最新的CoolSiC MOSFET。科世達是一家全球領先的汽車充電系統供應商，通過其標準化平台方案為全球提供安全、可靠和高效的產品，可滿足各OEM廠商的要求及全球法規。
英飛凌汽車高壓晶片和分立器件產品線副總裁Robert Hermann表示：“低碳化是這十年的主要挑戰，也是我們與客戶一起推動汽車電氣化進程的巨大動力。因此，我們十分高興能與科世達合作。這個項目突出了憑藉領先的SiC技術，我們的標準產品組合在車載充電市場中的強大地位。”
科世達亞洲副總裁兼技術執行經理Shen Jianyu表示：“英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽柵MOSFET額定電壓高、魯棒性優異，是我們未來一代OBC平台的關鍵部件。這些優勢有助於創造一個兼容的設計，以管理我們最先進的技術解決方案，實現成本優化和大規模市場交付。”
供貨情況
採用 TO263-7 封裝的 1200V CoolSiC™ MOSFET 現已上市。
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