增強型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半橋模塊，採用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，並有使用預塗的熱界面材料（TIM）版本。
產品型號：
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FF17MR12W1M1H_B11
17mΩ 1200V
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FF17MR12W1M1H_B70
17mΩ 1200V 低熱阻
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FF17MR12W1M1HP_B11
17mΩ 1200V TIM版本
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FF33MR12W1M1H_B11
33mΩ 1200V
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FF33MR12W1M1HP_B11
33mΩ 1200V TIM版本
產品特點
● 1200V CoolSiC™ MOSFET
● Easy1B封裝
● Best-in-class 12毫米高度模塊封裝
● 非常低的模塊寄生電感
● RBSOA反向工作安全區寬
● 柵極驅動電壓窗口大
● PressFIT引腳
● 兩個阻值型號都有帶有熱界面材料版本
應用價值
● 擴展了柵源電壓最大值：+23V和-10V
● 在過載條件下，Tvjop最高可達175°C
● 最佳的性價比，可降低系統成本
● 可工作在高開關頻率，並改善對冷卻要求
競爭優勢
● 引入新的M1H增強型1代晶片系列模塊，Best-in-class 1200V Easy1B模塊
● 採用英飛凌WBG材料，達到功率和效率的新水平
● 緊跟市場的新趨勢，支持多種目標應用
應用領域
● 電機控制和驅動
● 不間斷電源(UPS)
● 電動汽車充電
● 光伏系統的解決方案
● 儲能系統
文章來源：英飛凌工業半導體
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