HiP247-4封裝SiC MOSFET測試平台

一：商品介紹

         
         STDES-SICGP4參考設計允許評估半橋拓撲中的HiP247-4（四引線）封裝-功率SiC MOSFET的開關和熱性能。

         MOSFET由隔離柵極驅動器控制。驅動器由隔離的DC-DC轉換器供電。

         該系統需要連接外部電感器、電源、負載、輔助電源和PWM信號。它可用於測試降壓或升壓配置下的操作。

         可以使用低電感分流器或組裝同軸分流器來測量通過低側MOSFET的電流。從這個角度來看，該板可以用作雙脈衝測試（DPT）的工具，以測量過沖（電壓和電流）、速度（di/dt；dv/dt）和開關能量（EON；EOFF；ERR）。

二：原理方框圖

三：展示板PCB圖




四：規格說明

      1，在HiP247-4封裝中用功率SiC MOSFET組裝的半橋結構

      2，由為SiC MOSFET優化的STGAP2HS電流隔離柵極驅動器驅動的半橋

      3，由基於L6986I的隔離飛降壓轉換器提供的隔離柵極驅動器

      4，隔離柵極驅動器輸出級的預設+18V/-3V電源電壓

      5，可以設置特定的柵極電壓、正電平和負電平

      6，設置柵極電阻器的可能性

      7，低電感感應電阻器

      8，為更高帶寬的電流測量準備同軸分流電阻器

      9，規格：最大.直流輸入/輸出電壓：1 kV輸入電流電平峰值（持續時間可達100μs）：69 A


『全文』(作者：ST；出處：STDES-SICGP4 - Testing platform of SiC MOSFETs in HiP247-4 package - STMicroelectronics)