AOS 新一代 αMOS7™ Super Junction MOSFET 介紹及應用

關鍵字 :AOSαMOS7

AOS αMOS7™ MOSFET 應用:

2023年5月2日, AOS宣布推出600V αMOS7™ Super Junction MOSFET家族。αMOS7™是AOS的下一代高壓MOSFET,旨在滿足服務器、工作站、電信整流器、太陽能逆變器、電動汽車充電、馬達驅動和工業電源應用的高效率和高密度需求。

當今的服務器電源需要鈦效率,這意味著PFC和LLC階段的峰值效率均超過98.5%。Active-Bridges和Bridgeless設計是易於實現的解決方案;然而,在輕負載時,開關和驅動損失仍然是工程師要面臨的主要問題。現有技術由於單元間距和電荷大而受到限制,很難滿足這些要求。

下一代Super Junction技術可減少電荷但同時又具有足夠的穩定性。在瞬態和異常情況下,LLC和PSFB應用需要低Qrr和Trr。AOS αMOS7™高壓Super Junction MOSFET是上述需求的最佳解答。

對於太陽能應用,低阻抗SMD零件正逐漸成為新的標竿。αMOS7™提供了廣泛的Rdson粒度和SMD封裝選擇,例如DFN、TOLL和Top-cooling 封裝。

對於Solid-State Relays或Active Bridges等低切換頻率應用,必須滿足特定SOA要求以承受浪湧及啟動電流。αMOS7™可確保於低Rdson的溫度系數和瞬態電壓及瞬態電流的穩定性。

AOK050V60A7 介紹:

AOK050V60A7是第一款推出的產品,是一款600V 50mOhm αMOS7低歐姆器件,採用行業標準TO-247封裝,量身定制於今天的高功率AC/DC、DC/DC和太陽能逆變器。隨著歐盟ERP Lot9法規將PSU的效率推向鈦級別,AOS αMOS7™ 600V低歐姆家族為single, interleaved, dual boost, totem-pole, and Vienna PFC等其他Hard Switch架構提供了理想的解決方案。

AOK050V60A7 經過優化的電容將為客戶提供出色的開關性能,具有快速的開啟/關閉行為,同時避免自開啟或擊穿的風險。 50mohm之後將我們即將推出的 32mohm、40mohm、65mohm 和 105mohm方案。

與我們現有的解決方案 αMOS5™ 相比,新的電荷平衡結構可以進一步減少高達 50% 的有源面積。總結來說,αMOS7™ 是業界領先的高壓 Super Junction 解決方案,旨在滿足效率驅動和成本驅動的市場需求。

 AOK050V60A7 αMOS7 SJ MOSFET
技術亮點:

  • 低歐姆具有超低開關損耗
  • 堅固的體二極管和FRD選項(減少Qrr)可用於更苛刻的應用
  • 堅固的SOA和浪湧電流能力,適用於Solid-state Relay和active bridge應用
  • 針對高功率和低功率SMPSes、太陽能逆變器和EV DC充電應用進行優化。

參考來源: AOS Website: https://aosmd.com/zh/newsroom



Q&A: 

 Q1. Mosfet結構中影響Rdson的因素有什麼?
ANS: 通道寬度: 增加通道寬度是一種提MOSFET性能和降低Rdson的常用方法。
         通道長度: 縮短通道長度可以降低MOSFET的導通電阻。

Q2.除選用低Rdson Mosfet外,還有什麼方式改善損耗? 
ANS: 可優化PCB布局 or 降低工作频率等
Q3. Mosfet的優點/缺點是? 
ANS: 優點: 體積小、重量輕、開關速度快、無噪音、無電弧。
         缺點: 漏电流大、靜態功號高、温度敏感。
Q4. 造成Mosfet的功率損耗是什麼? 
ANS: 驅動損耗:Mosfet是由驅動IC控制開關頻率,因此頻率越快損失越大。
         導通損耗:當Mosfet導通時,流過電流會與內阻Rdson產生功率損失。     
Q5. 如何選用適合的Mosfet? 
ANS: 選用Mosfet需考量電流容量、開關速度、封裝類型,如有高效率/高密度需求可再針對低Rdson進行選用

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Mina Galvan: https://aosmd.com/zh/newsroom