IPAC | 2023年度英飛凌碳化矽直播季第一場直播於5月23日順利結束。直播中英飛凌的三位工程師與大家探討了CoolSiCTM溝槽柵MOSFET的設計理念、高性能封裝互聯方案.XT、冷切割技術與應用。直播時間有限，未能回答全部觀眾問題，在此針對一些遺漏問題進行回答。如果大家還有任何問題，歡迎在文末留言，我們會及時回復。
碳化矽閾值電壓漂移的問題怎麼解決的
答：閾值漂移，本質上是柵極氧化層中的缺陷，捕獲了不該屬於它的電子，氧化層中電子日積月累，就會造成閾值降低。所以要規避這種現象，晶片設計中要改善氧化層的質量。M1H就是改善了氧化層的質量，實現了方形門極電壓操作曲線，也就是說不管什麼開關頻率，都可以使用負壓下限-10V了。
我看到1700V 的SiC 管子做到12V驅動電壓了，是能完什麼做到這麼低還保證閾值 電壓的呢
答：目前英飛凌1700V SiC MOSFET主要面向應用是輔助電源，12V驅動電壓主要是為了和大部分反激式控制器兼容。也可以採用15V的驅動電壓主，如果用15V驅動，導通損耗會更低。
英飛凌的SiC MOS不需要負壓吧
答：如果單純的從抑制寄生導通的角度看，對於一個設計良好的電路，英飛凌SiC MOSFET是不需要用負壓關斷的。但是負壓對關斷損耗有影響，具體可參見如下文章：
Cox是什麼電容，和cgs, cgd有啥關係
答：下圖是IGBT內部的寄生電容示意圖，MOSFET同理。可以看到Cox是多晶矽柵極對襯底的電容，以柵極氧化層為介質，包括下圖中的C2,C3,C4。其中，C3,C4是輸入電容Cge的一部分，C2是Cgc的一部分。溝道電阻的公式中出現的Cox特指C3。
電荷集中在溝槽附近，特別是彎曲率高的地方，INFINEON做了什麼補救措施？
答：英飛凌採用非對稱溝槽柵結構，溝槽的一側設有深P阱，P阱包圍溝槽倒角，可以大大舒緩電場在溝槽倒角處的聚集。
更多關於非對稱溝槽柵結構的信息，請參考下面文章。
SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
SiC MOS TDDB失效的優化方案有專題嗎
答：可參考如下文章
動態HTGB和穩態HTGB對比，哪一個更嚴格
答：如果動態HTGB是指GSS-Gate switching stress，那麼GSS與HTGB考查的是不同維度的內容，GSS考查的是SiC MOSFET在多次開關周期後閾值的漂移程度，而HTGB考查的是長期的柵極偏壓應力下柵氧化層的退化程度。兩者對於評估SIC MOS的可靠性來說都是不可或缺的，不存在哪一個更嚴格。
能不能出一期關於可靠性壽命的主題
答：英飛凌於2020年就推出了關於碳化矽器件可靠性白皮書How Infineon controls and assures the reliability of SiC based power semiconductors，中文版閱讀請點擊：英飛凌如何控制和保證基於 SiC 的功率半導體器件的可靠性
最後，大家不要忘記報名哦~
碳化矽直播季第二期6月20日，我們不見不散！
碳化矽直播季主持人：
英飛凌科技大中華區零碳工業功率事業部 應用工程師 孫輝波
時間：6月20日下午14:00
話題：好馬要有好鞍配，
-- 詳解SiC驅動和並聯的關鍵技術
直播嘉賓：
英飛凌科技大中華區零碳工業功率事業部 高級應用工程師 鄭姿清
英飛凌科技大中華區零碳工業功率事業部 高級應用工程師 趙佳
在從Si到SiC的應用轉化中，因為SiC的高速開關特性、特殊的器件結構、較低的短路耐量，使得SiC系統的驅動及保護設計都面臨很大挑戰。 如何更好地設計SiC MOSFET驅動及保護電路， 在高性能功率轉換應用場合實現效率、功率密度和穩健性的最佳組合？
好馬要有好鞍配，讓我們一起詳解SiC短路保護和並聯的關鍵技術
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